Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
PUMD3,165
  • В избранное
  • В сравнение
PUMD3,165

PUMD3,165

PUMD3,165
;
PUMD3,165

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PUMD3,165
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена PUMD3,165 при покупке от 1 шт 45.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PUMD3,165 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PUMD3,165

PUMD3,165 Nexperia — это транзистор с прецизионным предвыведением (TRANS PREBIAS), предназначенный для работы в режиме NPN и PNP. Транзистор имеет оболочку 6TSSOP.

  • NPN: Имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор. При положительном напряжении на базу по отношению к эмиттеру, ток коллектора увеличивается.
  • PNP: Аналогичная структура, но работает противоположным образом. При положительном напряжении на базу по отношению к коллектору, ток эмиттера увеличивается.

Основные параметры:

  • VCEO: Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером.
  • ICM: Максимальный ток между коллектором и эмиттером.
  • hFE: Коэффициент усиления.
  • Tcase: Температурный диапазон корпуса.

Плюсы:

  • Высокая точность предвыведения.
  • Устойчивость к перегреву.
  • Низкий уровень шумов.
  • Высокий коэффициент усиления.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами.
  • Требует дополнительных компонентов для корректной работы.

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых цепях.
  • Усиление сигналов.
  • Контроль тока.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах.
  • Инверторах.
  • Радиоэлектронных устройствах.
  • Датчиках и датчиковых системах.
Выбрано: Показать

Характеристики PUMD3,165

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    PUMD3

Техническая документация

 PUMD3,165.pdf
pdf. 0 kb
  • 32121 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    45 ₽
  • 100
    16.7 ₽
  • 1000
    10.8 ₽
  • 5000
    8.2 ₽
  • 20000
    6.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PUMD3,165
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена PUMD3,165 при покупке от 1 шт 45.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PUMD3,165 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PUMD3,165

PUMD3,165 Nexperia — это транзистор с прецизионным предвыведением (TRANS PREBIAS), предназначенный для работы в режиме NPN и PNP. Транзистор имеет оболочку 6TSSOP.

  • NPN: Имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор. При положительном напряжении на базу по отношению к эмиттеру, ток коллектора увеличивается.
  • PNP: Аналогичная структура, но работает противоположным образом. При положительном напряжении на базу по отношению к коллектору, ток эмиттера увеличивается.

Основные параметры:

  • VCEO: Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером.
  • ICM: Максимальный ток между коллектором и эмиттером.
  • hFE: Коэффициент усиления.
  • Tcase: Температурный диапазон корпуса.

Плюсы:

  • Высокая точность предвыведения.
  • Устойчивость к перегреву.
  • Низкий уровень шумов.
  • Высокий коэффициент усиления.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами.
  • Требует дополнительных компонентов для корректной работы.

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых цепях.
  • Усиление сигналов.
  • Контроль тока.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах.
  • Инверторах.
  • Радиоэлектронных устройствах.
  • Датчиках и датчиковых системах.
Выбрано: Показать

Характеристики PUMD3,165

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    PUMD3

Техническая документация

 PUMD3,165.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSBC114YDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    18.6Кешбэк 2 балла
    UMD3NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    43Кешбэк 6 баллов
    NSVEMD4DXV6T5GТранзистор: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    SMUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NSVB143TPDXV6T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
    20.4Кешбэк 3 балла
    NSVMUN5111DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NSBC114TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    SMUN5313DW1T3GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    PQMD10ZТранзистор
    24Кешбэк 3 балла
    BCR133SH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6
    101Кешбэк 15 баллов
    BCR183SH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363-6
    13.4Кешбэк 2 балла
    NSB4904DW1T1GTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    69Кешбэк 10 баллов
    PUMD3,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    DCX144EU-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    84Кешбэк 12 баллов
    MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    45Кешбэк 6 баллов
    PUMH9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    MUN5135DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46.5Кешбэк 6 баллов
    PEMH9,315Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    84Кешбэк 12 баллов
    EMB11T2RТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    97Кешбэк 14 баллов
    DMA9640T0RТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
    134Кешбэк 20 баллов
    NSBA114TDXV6T5Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    PBLS1504V,115Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    39Кешбэк 5 баллов
    NSBC143ZPDP6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
    63Кешбэк 9 баллов
    SMUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    PUMH10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PEMD20,115Транзистор
    15Кешбэк 2 балла
    RN2506(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
    59Кешбэк 8 баллов
    PUMH17,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMD9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    41Кешбэк 6 баллов
    PUMD12,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП