Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PXN8R3-30QLJ

PXN8R3-30QLJ

PXN8R3-30QLJ
;
PXN8R3-30QLJ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PXN8R3-30QLJ при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PXN8R3-30QLJ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PXN8R3-30QLJ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.4A (Ta), 31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.3mOhm @ 11.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    760 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    MLPAK33
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

PXN8R3-30QLJ.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена PXN8R3-30QLJ при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PXN8R3-30QLJ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PXN8R3-30QLJ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.4A (Ta), 31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.3mOhm @ 11.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    760 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    MLPAK33
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

PXN8R3-30QLJ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории