R6004JND3TL1

R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO252 — это полупроводниковый транзистор с низким напряжением срабатывания, предназначенный для применения в различных электронных устройствах.

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания V_GS(th): ≤ 4 V
• Номинальное напряжение V_DS: 600 В
• Номинальная токовая способность I_D(on): 4 А
• Пакет: TO252

• Плюсы:
• Низкое напряжение срабатывания обеспечивает более эффективное управление током.
• Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке.
• Малый размер и легкий вес.
• Высокая стабильность характеристик при работе.

• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.
• Стоимость может быть выше по сравнению с менее сложными аналогами.

• Общее назначение:
• Управление током в электрических цепях.
• Контроль работы других компонентов в электронных устройствах.
• Регулирование напряжения.

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника (например, системы управления двигателем).
• Инверторы и преобразователи напряжения.
• Промышленное оборудование (например, системы управления шаговыми двигателями).
• Переносные устройства питания.