Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
R6007END3TL1

R6007END3TL1

R6007END3TL1
;
R6007END3TL1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена R6007END3TL1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6007END3TL1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6007END3TL1

R6007END3TL1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO252

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий ток стока при отключенном мосте
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • При высоких температурах может увеличиваться ток стока при отключенном мосте
    • Необходимо учитывать тепловые потери при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Управление нагрузками в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки управления
    • Источники питания для периферийного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики R6007END3TL1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    390 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    R6007

Техническая документация

R6007END3TL1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена R6007END3TL1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6007END3TL1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6007END3TL1

R6007END3TL1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO252

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий ток стока при отключенном мосте
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • При высоких температурах может увеличиваться ток стока при отключенном мосте
    • Необходимо учитывать тепловые потери при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Управление нагрузками в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки управления
    • Источники питания для периферийного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики R6007END3TL1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    390 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    R6007

Техническая документация

R6007END3TL1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории