Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
R6007ENJTL
  • В избранное
  • В сравнение
R6007ENJTL

R6007ENJTL

R6007ENJTL
;
R6007ENJTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6007ENJTL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7A LPTSВсе характеристики

Минимальная цена R6007ENJTL при покупке от 1 шт 430.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6007ENJTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6007ENJTL

R6007ENJTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Ток при номинальном напряжении (ID(on)): 7А
    • Тип: N-канальный полевик
    • Стандарт: LPTS (Low Power Transistor Series)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на проводнике (VDS(ON))
    • Малый тепловыделение благодаря эффективному управлению
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
    • Компактный размер за счет использования технологии LPTS
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать максимальные температурные ограничения для предотвращения перегрева
    • Требуется дополнительная защита от ударных напряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления токами
    • Регулировка напряжения и тока в различных приборах
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии и других системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии (например, Buck-конвертеры)
    • Электронные регуляторы напряжения
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленные контроллеры и системы автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики R6007ENJTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    390 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LPTS
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    R6007

Техническая документация

 R6007ENJTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 392 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    430 ₽
  • 10
    312 ₽
  • 100
    221 ₽
  • 500
    179 ₽
  • 2000
    150 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6007ENJTL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7A LPTSВсе характеристики

Минимальная цена R6007ENJTL при покупке от 1 шт 430.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6007ENJTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6007ENJTL

R6007ENJTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Ток при номинальном напряжении (ID(on)): 7А
    • Тип: N-канальный полевик
    • Стандарт: LPTS (Low Power Transistor Series)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на проводнике (VDS(ON))
    • Малый тепловыделение благодаря эффективному управлению
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
    • Компактный размер за счет использования технологии LPTS
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать максимальные температурные ограничения для предотвращения перегрева
    • Требуется дополнительная защита от ударных напряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления токами
    • Регулировка напряжения и тока в различных приборах
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии и других системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии (например, Buck-конвертеры)
    • Электронные регуляторы напряжения
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленные контроллеры и системы автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики R6007ENJTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    390 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LPTS
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    R6007

Техническая документация

 R6007ENJTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SUD23N06-31-GE3MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
    225Кешбэк 33 балла
    STD7NK40ZT4MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
    364Кешбэк 54 балла
    IRFU224PBFMOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
    400Кешбэк 60 баллов
    FDPF320N06LMOSFET N-CH 60V 21A TO220F
    476Кешбэк 71 балл
    STF6N62K3MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
    156Кешбэк 23 балла
    IPB65R110CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
    1 195Кешбэк 179 баллов
    NX3008PBKMB,315MOSFET P-CH 30V 300MA DFN1006B-3
    33.3Кешбэк 4 балла
    HUFA76619D3STMOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
    98Кешбэк 14 баллов
    SI4842BDY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
    508Кешбэк 76 баллов
    HUF75309D3SMOSFET N-CH 55V 19A DPAK
    80Кешбэк 12 баллов
    FDD10AN06A0MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
    330Кешбэк 49 баллов
    IRL6342TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
    104Кешбэк 15 баллов
    NVGS4141NT1GMOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
    167Кешбэк 25 баллов
    TK15S04N1L,LQMOSFET N-CH 40V 15A DPAK
    293Кешбэк 43 балла
    DMT6007LFG-7MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
    178Кешбэк 26 баллов
    SQD97N06-6M3L_GE3MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
    371Кешбэк 55 баллов
    IPB17N25S3100ATMA1MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
    439Кешбэк 65 баллов
    NTLUS3A40PZTAGMOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
    232Кешбэк 34 балла
    IPLU300N04S41R1XTMA1MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
    736Кешбэк 110 баллов
    PSMN6R5-25YLC,115MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
    182Кешбэк 27 баллов
    IRFS7430TRL7PPMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    530Кешбэк 79 баллов
    STP40N60M2MOSFET N-CH 600V 34A TO220
    1 073Кешбэк 160 баллов
    SI3442BDV-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
    83Кешбэк 12 баллов
    IRF540SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    309Кешбэк 46 баллов
    RJK0652DPB-00#J5MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
    406Кешбэк 60 баллов
    FDD3670MOSFET N-CH 100V 34A TO252
    317Кешбэк 47 баллов
    AO7411MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6
    75Кешбэк 11 баллов
    IRFL024NTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
    154Кешбэк 23 балла
    SI8413DB-T1-E1MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
    267Кешбэк 40 баллов
    AOD2N60MOSFET N-CH 600V 2A TO252
    174Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП