Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
R6030KNX
R6030KNX

R6030KNX

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6030KNX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FMВсе характеристики

Минимальная цена R6030KNX при покупке от 1 шт 847.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6030KNX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики R6030KNX

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    86W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FM
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    R6030
Техническая документация
 R6030KNX.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 478 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    847 ₽
  • 10
    580 ₽
  • 100
    412 ₽
  • 500
    341 ₽
  • 1000
    318 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6030KNX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FMВсе характеристики

Минимальная цена R6030KNX при покупке от 1 шт 847.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6030KNX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики R6030KNX

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    86W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FM
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    R6030
Техническая документация
 R6030KNX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SJ586CPTL-EP-CHANNEL MOSFET
    44Кешбэк 6 баллов
    CSD18502Q5BTMOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
    558Кешбэк 83 балла
    DMP2045U-7MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    22.4Кешбэк 3 балла
    SIRA60DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
    294Кешбэк 44 балла
    CMUDM7005 TR PBFREEMOSFET N-CH 20V 650MA SOT523
    89Кешбэк 13 баллов
    IRF224N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    487Кешбэк 73 балла
    IMW120R014M1HXKSA1SIC DISCRETE
    4 788Кешбэк 718 баллов
    IPP65R041CFD7XKSA1650V FET COOLMOS TO247
    1 452Кешбэк 217 баллов
    IXTA26P20P-TRLТранзистор: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
    1 454Кешбэк 218 баллов
    IPB025N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 063Кешбэк 159 баллов
    NVTFS6H850NWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    262Кешбэк 39 баллов
    DMTH6016LPSQ-13MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
    158Кешбэк 23 балла
    FDD86380-F085MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
    316Кешбэк 47 баллов
    SQJ415EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
    140Кешбэк 21 балл
    SUP70042E-GE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-
    671Кешбэк 100 баллов
    IMZA120R014M1HXKSA1SIC DISCRETE
    4 860Кешбэк 729 баллов
    PMZ600UNEZТранзистор: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
    45Кешбэк 6 баллов
    TSM8N80CI C0GMOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
    573Кешбэк 85 баллов
    SIRA58ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
    314Кешбэк 47 баллов
    RS3E180ATTB1MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
    591Кешбэк 88 баллов
    RFD16N05LN-CHANNEL POWER MOSFET
    311Кешбэк 46 баллов
    SQ2309ES-T1_BE3MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
    158Кешбэк 23 балла
    NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
    3 675Кешбэк 551 балл
    NVMFS5C423NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
    462Кешбэк 69 баллов
    FCH085N80-F155MOSFET N-CH 800V 46A TO247
    2 019Кешбэк 302 балла
    H5N3011P80-E#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    2 348Кешбэк 352 балла
    PMN40XPEAAXSMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
    22.5Кешбэк 3 балла
    SQ2362ES-T1_BE3MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
    178Кешбэк 26 баллов
    FDBL86062-F085MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
    1 343Кешбэк 201 балл
    STF7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
    531Кешбэк 79 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП