Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
R6530KNZ4C13
  • В избранное
  • В сравнение
R6530KNZ4C13

R6530KNZ4C13

R6530KNZ4C13
;
R6530KNZ4C13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6530KNZ4C13
  • Описание:
    650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWITВсе характеристики

Минимальная цена R6530KNZ4C13 при покупке от 1 шт 741.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6530KNZ4C13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6530KNZ4C13

Размеры и описание:

  • Маркировка: R6530KNZ4C13
  • Производитель: Rohm Semiconductor
  • Номинальное напряжение: 650В
  • Номинальный ток: 30А
  • Форм-фактор: TO-247
  • Тип: HIGH-SPEED SWIT.

Основные параметры:

  • Частота работы: до 100 кГц
  • Эффективность: высокая
  • Температурный диапазон: -40°C до +150°C
  • Сопротивление обратной связи: 100Ω

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: до 100 кГц
  • Высокое напряжение блокировки: 650В
  • Высокий ток: 30А
  • Устойчивость к перегреву: широкий температурный диапазон

Минусы:

  • Цена: может быть выше по сравнению с другими типами
  • Объем: занимает значительное пространство из-за формы TO-247

Общее назначение:

  • Переключатели для высоковольтных приложений
  • Использование в схемах преобразования напряжения
  • Применяются в электронных системах с высокой скоростью отклика

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Системы питания
  • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики R6530KNZ4C13

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 960µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    305W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247G
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 R6530KNZ4C13.pdf
pdf. 0 kb
  • 298 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    741 ₽
  • 30
    407 ₽
  • 120
    333 ₽
  • 510
    279 ₽
  • 1020
    259 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6530KNZ4C13
  • Описание:
    650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWITВсе характеристики

Минимальная цена R6530KNZ4C13 при покупке от 1 шт 741.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6530KNZ4C13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6530KNZ4C13

Размеры и описание:

  • Маркировка: R6530KNZ4C13
  • Производитель: Rohm Semiconductor
  • Номинальное напряжение: 650В
  • Номинальный ток: 30А
  • Форм-фактор: TO-247
  • Тип: HIGH-SPEED SWIT.

Основные параметры:

  • Частота работы: до 100 кГц
  • Эффективность: высокая
  • Температурный диапазон: -40°C до +150°C
  • Сопротивление обратной связи: 100Ω

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: до 100 кГц
  • Высокое напряжение блокировки: 650В
  • Высокий ток: 30А
  • Устойчивость к перегреву: широкий температурный диапазон

Минусы:

  • Цена: может быть выше по сравнению с другими типами
  • Объем: занимает значительное пространство из-за формы TO-247

Общее назначение:

  • Переключатели для высоковольтных приложений
  • Использование в схемах преобразования напряжения
  • Применяются в электронных системах с высокой скоростью отклика

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Системы питания
  • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики R6530KNZ4C13

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 960µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    305W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247G
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 R6530KNZ4C13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    R6520KNZ4C13MOSFET N-CH 650V 20A TO247
    1 589Кешбэк 238 баллов
    SCT3060ARC14SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
    4 035Кешбэк 605 баллов
    RQ6A045ZPTRMOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
    230Кешбэк 34 балла
    RHK005N03FRAT146MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    112Кешбэк 16 баллов
    R6530KNZ4C13650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
    741Кешбэк 111 баллов
    R6024KNXMOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
    594Кешбэк 89 баллов
    R6030KNXMOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
    898Кешбэк 134 балла
    R6024KNZ4C13MOSFET N-CH 600V 24A TO247
    790Кешбэк 118 баллов
    RD3L08BGNTLMOSFET N-CH 60V 80A TO252
    611Кешбэк 91 балл
    RJU002N06FRAT106MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
    90Кешбэк 13 баллов
    RTR020N05HZGTLMOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
    138Кешбэк 20 баллов
    RS3L110ATTB1PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
    596Кешбэк 89 баллов
    SCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
    11 267Кешбэк 1 690 баллов
    R6020KNXТранзистор: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
    706Кешбэк 105 баллов
    RJ1U330AAFRGTLMOSFET N-CH 250V 33A LPTS
    937Кешбэк 140 баллов
    SCT3105KLHRC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
    2 526Кешбэк 378 баллов
    SCT3022KLGC11SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
    9 706Кешбэк 1 455 баллов
    R6020JNZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
    935Кешбэк 140 баллов
    SCT3105KLGC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
    3 593Кешбэк 538 баллов
    R6009KNXMOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
    478Кешбэк 71 балл
    SCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N
    2 866Кешбэк 429 баллов
    SCT2160KEGC111200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 676Кешбэк 401 балл
    SCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
    3 070Кешбэк 460 баллов
    RSQ015N06HZGTRMOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
    166Кешбэк 24 балла
    BSS84T116Транзистор: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
    56Кешбэк 8 баллов
    R6030ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 30A TO247
    1 847Кешбэк 277 баллов
    SCT2080KEHRC11SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
    5 251Кешбэк 787 баллов
    RQ7G080ATTCRPCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
    224Кешбэк 33 балла
    RQ6E050AJTCRMOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
    183Кешбэк 27 баллов
    RSJ250P10FRATLMOSFET P-CH 100V 25A LPTS
    420Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП