Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
R8002ANJFRGTL

R8002ANJFRGTL

R8002ANJFRGTL
;
R8002ANJFRGTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена R8002ANJFRGTL при покупке от 1 шт 187.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R8002ANJFRGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R8002ANJFRGTL

R8002ANJFRGTL ROHM MOSFET N-Ч 800В 2А LPTS — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании ROHM. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 800 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 2 А
  • Тип полярности: N-Ч
  • Обозначение серии (LPTS): Low Power Trench Stacked

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря технологии Low Power Trench Stacked
  • Малое значение динамического сопротивления (RD(on))
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Малый размер и вес

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Контроль тока в источниках питания
  • Переключение высоковольтных цепей

Применяется в:

  • Источниках питания
  • Электронных системах управления двигателем
  • Автомобильных системах
  • Беспроводных устройствах
  • Промышленных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики R8002ANJFRGTL

Техническая документация

R8002ANJFRGTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 113 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    187 ₽
  • 10
    183 ₽
  • 100
    179 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена R8002ANJFRGTL при покупке от 1 шт 187.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R8002ANJFRGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R8002ANJFRGTL

R8002ANJFRGTL ROHM MOSFET N-Ч 800В 2А LPTS — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании ROHM. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 800 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 2 А
  • Тип полярности: N-Ч
  • Обозначение серии (LPTS): Low Power Trench Stacked

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря технологии Low Power Trench Stacked
  • Малое значение динамического сопротивления (RD(on))
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Малый размер и вес

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Контроль тока в источниках питания
  • Переключение высоковольтных цепей

Применяется в:

  • Источниках питания
  • Электронных системах управления двигателем
  • Автомобильных системах
  • Беспроводных устройствах
  • Промышленных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики R8002ANJFRGTL

Техническая документация

R8002ANJFRGTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории