RB218NS100TL

RHBD218NS100TL ROHM Semiconductor: Это полупроводниковый транзистор N-канального MOSFET с низким напряжением ввода (IR<).

• Основные параметры:
• Напряжение ввода (V_GS(th)): ≤ 2 V
• Размерная характеристика (R_D(on)): ≤ 5 mΩ
• Максимальное напряжение (V_DS(max)): 100 V
• Максимальный ток (I_D(max)): 4 A
• Плюсы:
• Низкое напряжение ввода обеспечивает эффективное управление нагрузкой при минимальных энергопотерях.
• Низкие значения R_D(on) позволяют уменьшить потери мощности при работе.
• Малый размер делает его подходящим для компактных дизайнов.
• Минусы:
• Малая мощность ограничивает его использование в высоковаттных приложениях.
• Низкое напряжение ввода может быть чувствительным к шуму и помехам.
• Общее назначение:
• Управление электрическими нагрузками в различных устройствах.
• Использование в системах управления двигателей.
• Применение в цифровых и аналоговых электронных устройствах.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах (например, управления подсветкой).
• Мощных источниках питания.
• Электроприборах (например, стиральных машинах).
• Компьютерных системах (например, для управления внешними устройствами).