Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
RBQ10T65ANZC9
  • В избранное
  • В сравнение
RBQ10T65ANZC9

RBQ10T65ANZC9

RBQ10T65ANZC9
;
RBQ10T65ANZC9

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RBQ10T65ANZC9
  • Описание:
    RBQ10T65ANZ IS LOW IRВсе характеристики

Минимальная цена RBQ10T65ANZC9 при покупке от 1 шт 328.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBQ10T65ANZC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBQ10T65ANZC9

RBQ10T65ANZC9 ROHM Semiconductor RBQ10T65ANZ — это полупроводниковый транзистор низкого напряжения (LOW IR).

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 65 В
    • Номинальный ток нагрузки ID: 10 А
    • Номинальная частота работы fT: 350 МГц
    • Температурный диапазон: -40°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении блокировки
    • Малые потери энергии
    • Высокая скорость переключения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Относительно высокая цена по сравнению с традиционными транзисторами
    • Зависимость характеристик от температуры

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая проводимость и быстрое переключение. Это включает:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленные преобразователи
  • Системы питания
  • Электронные устройства с высокой требовательностью к скорости работы
Выбрано: Показать

Характеристики RBQ10T65ANZC9

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    65 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    690 mV @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    70 µA @ 65 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220FN
  • Base Product Number
    RBQ10

Техническая документация

 RBQ10T65ANZC9.pdf
pdf. 0 kb
  • 981 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    328 ₽
  • 10
    207 ₽
  • 100
    138 ₽
  • 1000
    104 ₽
  • 5000
    99 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RBQ10T65ANZC9
  • Описание:
    RBQ10T65ANZ IS LOW IRВсе характеристики

Минимальная цена RBQ10T65ANZC9 при покупке от 1 шт 328.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBQ10T65ANZC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBQ10T65ANZC9

RBQ10T65ANZC9 ROHM Semiconductor RBQ10T65ANZ — это полупроводниковый транзистор низкого напряжения (LOW IR).

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 65 В
    • Номинальный ток нагрузки ID: 10 А
    • Номинальная частота работы fT: 350 МГц
    • Температурный диапазон: -40°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении блокировки
    • Малые потери энергии
    • Высокая скорость переключения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Относительно высокая цена по сравнению с традиционными транзисторами
    • Зависимость характеристик от температуры

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая проводимость и быстрое переключение. Это включает:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленные преобразователи
  • Системы питания
  • Электронные устройства с высокой требовательностью к скорости работы
Выбрано: Показать

Характеристики RBQ10T65ANZC9

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    65 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    690 mV @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    70 µA @ 65 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220FN
  • Base Product Number
    RBQ10

Техническая документация

 RBQ10T65ANZC9.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBR30NS30AFHTLDIODE ARRAY SCHOTT 30V 30A LPDS
    374Кешбэк 56 баллов
    DA228UMFHTLLOW-LEAKAGE, 80V, 100MA, ANODE/C
    98Кешбэк 14 баллов
    SCS210KE2GC11Диод: 1200V, 10A, 3-PIN THD, SILICON-C
    1 990Кешбэк 298 баллов
    RB715FM-40T10640V 30MA, CATHODE COMMON, SOT-32
    82Кешбэк 12 баллов
    RB095BGE-60TLДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY
    239Кешбэк 35 баллов
    RB095BM-30FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 30V 6A TO252
    354Кешбэк 53 балла
    SCS240AE2GC11Диод: 650V, 40A, 3-PIN THD, SILICON-CA
    2 722Кешбэк 408 баллов
    UMN11NFHTNSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    145Кешбэк 21 балл
    RB238NS-60FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 60V 40A LPDS
    598Кешбэк 89 баллов
    RBR40NS30ATLRBR40NS30A IS LOW VF
    667Кешбэк 100 баллов
    RBR10NS40AFHTLDIODE (RECTIFIER FRD) 40V-VR 10A
    295Кешбэк 44 балла
    RBR20BM40AFHTLDIODE ARRAY SCHOTT 40V 20A TO252
    332Кешбэк 49 баллов
    SCS220KE2GC11Диод: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C
    2 888Кешбэк 433 балла
    SCS240AE2HRC11Диод: DIODE SCHOTTKY 650V TO-247AC
    2 790Кешбэк 418 баллов
    RBR15BM30AFHTLДиод: DIODE ARRAY SCHOTT 30V 15A TO252
    378Кешбэк 56 баллов
    RB541XNFHTRROHM'S SCHOTTKY BARRIER DIODES A
    128Кешбэк 19 баллов
    DAN202UMFHTLSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    35Кешбэк 5 баллов
    RB088NS200FHTL200V, 10A SUPER LOW IR TYPE AUTO
    524Кешбэк 78 баллов
    RB218NS200TL200V, 20A SUPER LOW IR TYPE SCHO
    685Кешбэк 102 балла
    BAV70HYT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    61Кешбэк 9 баллов
    RB088BM-40FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 40V 10A TO252
    259Кешбэк 38 баллов
    RBQ20NS65ATLDIODE (RECTIFIER FRD) 65V-VRM 65
    435Кешбэк 65 баллов
    RB085T-40HZC9SCHOTTKY BARRIER DIODE
    93Кешбэк 13 баллов
    RB228NS-60FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 60V 30A LPDS
    461Кешбэк 69 баллов
    RF2001NS2DTLДиод: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK
    576Кешбэк 86 баллов
    RB088BM200FHTLДиод: 200V, 10A SUPER LOW IR TYPE AUTO
    337Кешбэк 50 баллов
    SCS240KE2HRC11DIODE SIC
    4 658Кешбэк 698 баллов
    RBR10BM30AFHTLDIODE ARRAY SCHOTT 30V 10A TO252
    241Кешбэк 36 баллов
    SCS240KE2GC11Диод: 1200V, 40A, 3-PIN THD, SILICON-C
    4 548Кешбэк 682 балла
    RB095BM-60FHTLДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 60V-VRM 60
    220Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП