Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
RBQ30NS100ATL
  • В избранное
  • В сравнение
RBQ30NS100ATL

RBQ30NS100ATL

RBQ30NS100ATL
;
RBQ30NS100ATL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBQ30NS100ATL
  • Описание:
    LOW IR, 100V, 30A, TO-263S (D2PAВсе характеристики

Минимальная цена RBQ30NS100ATL при покупке от 1 шт 654.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBQ30NS100ATL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBQ30NS100ATL

RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Низкий IR (тепловыделение)
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 30А
    • Контакт: TO-263S (D2PA)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность благодаря низкому тепловыделению
    • Стабильная работа при высоких нагрузках
    • Удобство установки благодаря стандартному контакту
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует дополнительного охлаждения для обеспечения стабильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электротехнических устройствах
    • Работа в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики RBQ30NS100ATL

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    770 mV @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 100 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263S

Техническая документация

 RBQ30NS100ATL.pdf
pdf. 0 kb
  • 1029 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    654 ₽
  • 10
    426 ₽
  • 100
    298 ₽
  • 500
    259 ₽
  • 1000
    240 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBQ30NS100ATL
  • Описание:
    LOW IR, 100V, 30A, TO-263S (D2PAВсе характеристики

Минимальная цена RBQ30NS100ATL при покупке от 1 шт 654.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBQ30NS100ATL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBQ30NS100ATL

RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Низкий IR (тепловыделение)
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 30А
    • Контакт: TO-263S (D2PA)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность благодаря низкому тепловыделению
    • Стабильная работа при высоких нагрузках
    • Удобство установки благодаря стандартному контакту
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует дополнительного охлаждения для обеспечения стабильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электротехнических устройствах
    • Работа в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики RBQ30NS100ATL

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    770 mV @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 100 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263S

Техническая документация

 RBQ30NS100ATL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAW56HMT116BAW56HM IS HIGH RELIABILITY AND
    39Кешбэк 5 баллов
    BAS40-06HMT116BAS40-06HM IS SCHOTTKY BARRIER D
    39Кешбэк 5 баллов
    RB548WMTLRB548WM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    39Кешбэк 5 баллов
    RB558WMTLДиод: RB558WM IS SUPER LOW VF SCHOTTKE
    41Кешбэк 6 баллов
    RB715UMTLRB715UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    42Кешбэк 6 баллов
    BAT54AHMT116BAT54AHM IS SCHOTTKY BARRIER DIO
    43Кешбэк 6 баллов
    BAT54CHMT116BAT54CHM IS SCHOTTKY BARRIER DIO
    43Кешбэк 6 баллов
    RB715WMFHTLAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    46Кешбэк 6 баллов
    BAW156HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    48Кешбэк 7 баллов
    BAW56HYT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    50Кешбэк 7 баллов
    BAW56HMFHT116DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
    50Кешбэк 7 баллов
    DAP202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    54Кешбэк 8 баллов
    BAV170HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    54Кешбэк 8 баллов
    DAP222WMFHTLSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    54Кешбэк 8 баллов
    BAW156HYT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    BAV199HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    DAN202KFHT146ROHM'S SWITCHING DIODES, INCLUDI
    61Кешбэк 9 баллов
    BAV199UMTLТранзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SERIES
    61Кешбэк 9 баллов
    RB706WM-40TLДиод: 40V, 30MA, SOT-416FL, SCHOTTKY B
    61Кешбэк 9 баллов
    BAV70HYT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    61Кешбэк 9 баллов
    BAW56HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    65Кешбэк 9 баллов
    DAN202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    65Кешбэк 9 баллов
    BAV99HYT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    67Кешбэк 10 баллов
    BAV70HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    69Кешбэк 10 баллов
    BAV199HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    BAV170HYFHT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    DAP222ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 80V 100MA,
    70Кешбэк 10 баллов
    DAP202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    DAN202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    BAV99HYFHT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    70Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП