Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
RBQ30T65ANZC9
  • В избранное
  • В сравнение
RBQ30T65ANZC9

RBQ30T65ANZC9

RBQ30T65ANZC9
;
RBQ30T65ANZC9

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBQ30T65ANZC9
  • Описание:
    RBQ30T65ANZ IS LOW IRВсе характеристики

Минимальная цена RBQ30T65ANZC9 при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBQ30T65ANZC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBQ30T65ANZC9

RBQ30T65ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ30T65ANZ — это индуктивный разрядной MOSFET с низким напряжением отключения (LOW IR).

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток при насыщении (RDS(ON) @ VGS): 1.7 Ω
    • Номинальное напряжение: 65 В
    • Максимальная частота работы: 300 кГц
    • Тип: MOSFET
    • Пакет: TO-220AB
  • Плюсы:
    • Низкий напряжений отключения обеспечивает эффективное управление нагрузкой
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому RDS(ON)
    • Способен работать при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие потери тепла при работе в режиме дросселирования
    • Требует дополнительного охлаждения для надежной эксплуатации при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Индуктивные нагрузки
    • Управление электромагнитными релейными contactors
    • Автоматические выключатели и защитные устройства
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы управления
    • Электроприборы с индуктивными нагрузками
    • Системы защиты от перегрузок и короткого замыкания
Выбрано: Показать

Характеристики RBQ30T65ANZC9

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    65 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    15A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    690 mV @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 65 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220FN
  • Base Product Number
    RBQ30

Техническая документация

 RBQ30T65ANZC9.pdf
pdf. 0 kb
  • 906 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    230 ₽
  • 10
    144 ₽
  • 500
    74 ₽
  • 2000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBQ30T65ANZC9
  • Описание:
    RBQ30T65ANZ IS LOW IRВсе характеристики

Минимальная цена RBQ30T65ANZC9 при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBQ30T65ANZC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBQ30T65ANZC9

RBQ30T65ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ30T65ANZ — это индуктивный разрядной MOSFET с низким напряжением отключения (LOW IR).

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток при насыщении (RDS(ON) @ VGS): 1.7 Ω
    • Номинальное напряжение: 65 В
    • Максимальная частота работы: 300 кГц
    • Тип: MOSFET
    • Пакет: TO-220AB
  • Плюсы:
    • Низкий напряжений отключения обеспечивает эффективное управление нагрузкой
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому RDS(ON)
    • Способен работать при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие потери тепла при работе в режиме дросселирования
    • Требует дополнительного охлаждения для надежной эксплуатации при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Индуктивные нагрузки
    • Управление электромагнитными релейными contactors
    • Автоматические выключатели и защитные устройства
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы управления
    • Электроприборы с индуктивными нагрузками
    • Системы защиты от перегрузок и короткого замыкания
Выбрано: Показать

Характеристики RBQ30T65ANZC9

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    65 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    15A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    690 mV @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 65 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220FN
  • Base Product Number
    RBQ30

Техническая документация

 RBQ30T65ANZC9.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    V10KM120DUHM3/HDIODE SCHOTTKY 120V 10A FLATPAK
    69Кешбэк 10 баллов
    FFSH4065ADN-F155DIODE ARRAY SCHOTT 650V TO247-3
    2 177Кешбэк 326 баллов
    MSC2X51SDA070JSIC SBD 700 V 50 A DUAL PARALLEL
    8 848Кешбэк 1 327 баллов
    MSC2X50SDA070JSIC SBD 700 V 50 A DUAL ANTI-PAR
    8 848Кешбэк 1 327 баллов
    SBCT1030Диод: SCHOTTKY TO-220AB 30V 10A
    117Кешбэк 17 баллов
    V20PWM60C-M3/IDIODE ARRAY SCHOTT 60V SLIMDPAK
    224Кешбэк 33 балла
    SDT20B100CTDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
    226Кешбэк 33 балла
    SDT40A120CTДиод: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
    337Кешбэк 50 баллов
    MSC2X101SDA120JSIC SBD 1200 V 100 A DUAL ISOTOP
    18 378Кешбэк 2 756 баллов
    BAV170QAZDIODE HS SW 75V 180MA 3DFN1010
    56Кешбэк 8 баллов
    SDT20A120CTДиод: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
    154Кешбэк 23 балла
    SDT40A100VCTДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
    350Кешбэк 52 балла
    RB218NS200FHTL200V, 20A SUPER LOW IR TYPE AUTO
    472Кешбэк 70 баллов
    VS-U5FH60FA60SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLEL
    3 907Кешбэк 586 баллов
    RB228NS150TLДиод: SUPER LOW IR, 150V, 30A, TO-263S
    450Кешбэк 67 баллов
    VS-20CTQ150-M3Диод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
    361Кешбэк 54 балла
    SDT40120CTDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
    258Кешбэк 38 баллов
    DSP25-12AT-TUBДиод: DIODE ARRAY GP 1200V 28A TO268AA
    1 573Кешбэк 235 баллов
    CMPSH-3AE TR PBFREEDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23
    109Кешбэк 16 баллов
    CMSD2836 TR PBFREEDIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323
    130Кешбэк 19 баллов
    SDT40A100CTДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
    302Кешбэк 45 баллов
    DPG30C200PC-TUBPOWER DIODE DISCRETES-FRED TO-26
    634Кешбэк 95 баллов
    MBR30100CTF-G1DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
    217Кешбэк 32 балла
    VS-20CTQ040-M3DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB
    439Кешбэк 65 баллов
    SBR10150CTFP-GDIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB
    235Кешбэк 35 баллов
    FFSH2065BDN-F085650V 20A SIC SBD GEN1.5
    1 753Кешбэк 262 балла
    GE2X8MPS06DДиод: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
    962Кешбэк 144 балла
    SDT30120CTДиод: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
    233Кешбэк 34 балла
    RB551V-30TC_R1_00001SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE
    37Кешбэк 5 баллов
    BAS70-05 RFGDIODE ARRAY GP 70V 70MA SOT23
    41Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП