Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
RBR10BGE40ATL
  • В избранное
  • В сравнение
RBR10BGE40ATL

RBR10BGE40ATL

RBR10BGE40ATL
;
RBR10BGE40ATL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RBR10BGE40ATL
  • Описание:
    40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMONВсе характеристики

Минимальная цена RBR10BGE40ATL при покупке от 1 шт 269.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBR10BGE40ATL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBR10BGE40ATL

RBR10BGE40ATL — это полупроводниковый элемент от компании ROHM Semiconductor. Это мощный мосфет (MOSFET) с ключевыми характеристиками:

  • Рейтинг напряжения: 40В
  • Рейтинг тока: 10А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Коммутационная схема: КАТАХОДНАЯ СОМНОВА

Плюсы:

  • Высокий ток пропускания
  • Низкое значение резистивности на проводимость
  • Устойчивость к перегреву
  • Надежность при высоких температурах

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
  • Наличие шумов и помех
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение: Мощные MOSFETы типа RBR10BGE40ATL используются в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и управляемость тока. Они подходят для:

  • Автомобильной электроники
  • Промышленного оборудования
  • Энергосберегающих приборов
  • Инверторов и преобразователей напряжения
  • Систем управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RBR10BGE40ATL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    40 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    620 mV @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    120 µA @ 40 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252GE

Техническая документация

 RBR10BGE40ATL.pdf
pdf. 0 kb
  • 1222 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    269 ₽
  • 10
    172 ₽
  • 500
    126 ₽
  • 2500
    100 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RBR10BGE40ATL
  • Описание:
    40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMONВсе характеристики

Минимальная цена RBR10BGE40ATL при покупке от 1 шт 269.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBR10BGE40ATL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBR10BGE40ATL

RBR10BGE40ATL — это полупроводниковый элемент от компании ROHM Semiconductor. Это мощный мосфет (MOSFET) с ключевыми характеристиками:

  • Рейтинг напряжения: 40В
  • Рейтинг тока: 10А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Коммутационная схема: КАТАХОДНАЯ СОМНОВА

Плюсы:

  • Высокий ток пропускания
  • Низкое значение резистивности на проводимость
  • Устойчивость к перегреву
  • Надежность при высоких температурах

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
  • Наличие шумов и помех
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение: Мощные MOSFETы типа RBR10BGE40ATL используются в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и управляемость тока. Они подходят для:

  • Автомобильной электроники
  • Промышленного оборудования
  • Энергосберегающих приборов
  • Инверторов и преобразователей напряжения
  • Систем управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RBR10BGE40ATL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    40 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    620 mV @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    120 µA @ 40 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252GE

Техническая документация

 RBR10BGE40ATL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAV70W-QXДиод: TRANS PREBIAS NPN/PNP
    28Кешбэк 4 балла
    PMEG3002EEFZДиод: PMEG3002EEF/SOD972/DFN0603
    39Кешбэк 5 баллов
    BAT54A-QRДиод: TRANS PREBIAS NPN/PNP
    37Кешбэк 5 баллов
    BAV99-QRДиод: TRANS PREBIAS NPN/PNP
    26Кешбэк 3 балла
    BAV23CVLDIODE ARRAY GP 200V TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    BAT54AWFТранзистор: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70
    33.3Кешбэк 4 балла
    BAV70SRAZDIODE ARRAY GP 100V 355MA 6DFN
    63Кешбэк 9 баллов
    BAW56SRAZDIODE ARRAY GP 90V 375MA 6DFN
    63Кешбэк 9 баллов
    BAT54SWFDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70
    18.5Кешбэк 2 балла
    BAV99QCZBAV99QC/SOT8009/DFN1412D-3
    28Кешбэк 4 балла
    BAV170MYLDIODE ARRAY GP 75V 320MA 3DFN
    48Кешбэк 7 баллов
    BAV170QAZDIODE HS SW 75V 180MA 3DFN1010
    56Кешбэк 8 баллов
    NTE6244Диод: R-SI DUAL200PRV 16A
    1 090Кешбэк 163 балла
    NTE596D-SI DUAL COMMON ANODE
    324Кешбэк 48 баллов
    NTE595D-SI DUAL COMMON CATHODE
    318Кешбэк 47 баллов
    NTE6085Диод: R-DUAL SCHOTTKY 16A 45V
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE6090Диод: R-DUAL SCHOTTKY 45V 30A
    3 276Кешбэк 491 балл
    RF601BM2DTLДиод: DIODE ARRAY GP 200V 6A TO252
    173Кешбэк 25 баллов
    BAT54SHMFHT116DIODE ARRAY SCHOT 30V 200MA SSD3
    39Кешбэк 5 баллов
    DAN217UMFHTLSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    33.3Кешбэк 4 балла
    RB715WMTLSCHOTTKY BARRIER DIODE - RB715WM
    37Кешбэк 5 баллов
    BAV99HYT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    67Кешбэк 10 баллов
    RB088BM100TLSUPER LOW IR, 100V, 10A, TO-252
    402Кешбэк 60 баллов
    RBE2EA20ATRHIGH EFFICIENCY TYPE, 20V, 2A, S
    120Кешбэк 18 баллов
    DAP202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    54Кешбэк 8 баллов
    BAT54CHYFHT11630V, 200MA, SOT-23, CATHODE COMM
    98Кешбэк 14 баллов
    RB558WMTLДиод: RB558WM IS SUPER LOW VF SCHOTTKE
    41Кешбэк 6 баллов
    BAW156HYT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    DAP222ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 80V 100MA,
    70Кешбэк 10 баллов
    RB085BGE-40TLSCHOTTKY BARRIER DIODE
    233Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП