RBR20T30ANZC9

RBR20T30ANZC9 ROHM Semiconductor RBR20T30ANZ — это низкое напряжение полупроводниковое устройство, относящееся к типу MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

• Основные параметры:
• V_GS(th): Напряжение порога, обычно составляет около 1,5 В.
• V_DS(max): Максимальное напряжение коллектора-эмиттера, составляет 20 В.
• I_D(max): Максимальный ток, который может пройти через канал, составляет 30 А.
• R_DS(on): Сопротивление канала в режиме провода при максимальном токе, обычно составляет менее 0,03 Ом.

• Плюсы:
• Низкое сопротивление канала в режиме провода, что обеспечивает минимальные потери энергии.
• Малый размер и легкость в установке.
• Высокая скорость переключения.
• Долгий срок службы и надежность.

• Минусы:
• Требует наличия внешнего источника питания для поддержания напряжения на входе.
• Могут возникать проблемы с тепловым управлением при высоких токах.

• Общее назначение:
• Используется в различных электронных устройствах для управления токами и переключения.

• В каких устройствах применяется:
• Питание и регулировка мощности в бытовой технике.
• Автомобильных системах управления двигателем и зарядных устройствах.
• Инверторах и преобразователях напряжения.
• Электроника для компьютеров и серверов.