Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
RBR2VWM40ATR
  • В избранное
  • В сравнение
RBR2VWM40ATR

RBR2VWM40ATR

RBR2VWM40ATR
;
RBR2VWM40ATR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBR2VWM40ATR
  • Описание:
    LOW VF, 40V, 2A, SCHOTTKY BARRIEВсе характеристики

Минимальная цена RBR2VWM40ATR при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBR2VWM40ATR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBR2VWM40ATR

RBR2VWM40ATR — это Schottky барrier diode (SBD) производства Rohm Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Низкое напряжение при прохождении тока (VF): 2В
    • Рейтингное напряжение (VBR): 40В
    • Рейтингный ток (IRM): 2А
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение при прохождении тока (низкий VF), что обеспечивает меньшие потери энергии при передаче сигнала или питания.
    • Быстрый включение и выключение, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.
    • Низкое сопротивление в проводящем режиме.
  • Минусы:
    • Высокий напряжения в обратном направлении, что может потребовать дополнительной защиты.
    • Уязвимость к скачкам напряжения.
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения.
    • Подавление шумов и импульсных воздействий.
    • Передача сигналов и данных.
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах.
    • Автомобилестроении.
    • Инверторах и преобразователях.
    • Электронных системах управления.
    • Питательных цепях.
Выбрано: Показать

Характеристики RBR2VWM40ATR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    40 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    620 mV @ 2 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 40 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    PMDE
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C

Техническая документация

 RBR2VWM40ATR.pdf
pdf. 0 kb
  • 339 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    91 ₽
  • 100
    49 ₽
  • 1000
    33.6 ₽
  • 6000
    23.5 ₽
  • 15000
    22.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBR2VWM40ATR
  • Описание:
    LOW VF, 40V, 2A, SCHOTTKY BARRIEВсе характеристики

Минимальная цена RBR2VWM40ATR при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBR2VWM40ATR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBR2VWM40ATR

RBR2VWM40ATR — это Schottky барrier diode (SBD) производства Rohm Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Низкое напряжение при прохождении тока (VF): 2В
    • Рейтингное напряжение (VBR): 40В
    • Рейтингный ток (IRM): 2А
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение при прохождении тока (низкий VF), что обеспечивает меньшие потери энергии при передаче сигнала или питания.
    • Быстрый включение и выключение, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.
    • Низкое сопротивление в проводящем режиме.
  • Минусы:
    • Высокий напряжения в обратном направлении, что может потребовать дополнительной защиты.
    • Уязвимость к скачкам напряжения.
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения.
    • Подавление шумов и импульсных воздействий.
    • Передача сигналов и данных.
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах.
    • Автомобилестроении.
    • Инверторах и преобразователях.
    • Электронных системах управления.
    • Питательных цепях.
Выбрано: Показать

Характеристики RBR2VWM40ATR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    40 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    620 mV @ 2 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 40 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    PMDE
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C

Техническая документация

 RBR2VWM40ATR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    272Кешбэк 40 баллов
    SDURB1040DIODE GEN PURP 400V D2PAK
    60Кешбэк 9 баллов
    1SS388_R1_00001SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
    29.6Кешбэк 4 балла
    SFAS804GDIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    269Кешбэк 40 баллов
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    276Кешбэк 41 балл
    SBRFP10U60D1-13Диод: SUPERBARRIERRECTIFIERTO252T&R2.5
    183Кешбэк 27 баллов
    ER2G_R1_00001SMB, SUPER
    94Кешбэк 14 баллов
    ES1G_R1_00001Диод: SMA, SUPER
    59Кешбэк 8 баллов
    FESF16JTHE3_A/PDIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
    521Кешбэк 78 баллов
    VS-15ETH06STRR-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
    295Кешбэк 44 балла
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    1N5400KДиод: DIODE STD DO-15 50V 3A
    53Кешбэк 7 баллов
    S3GSMBДиод: DIODE STD SMB 400V 3A
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП