Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
RBR30T60ANZC9
  • В избранное
  • В сравнение
RBR30T60ANZC9

RBR30T60ANZC9

RBR30T60ANZC9
;
RBR30T60ANZC9

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBR30T60ANZC9
  • Описание:
    RBR30T60ANZ IS SCHOTTKY BARRIERВсе характеристики

Минимальная цена RBR30T60ANZC9 при покупке от 1 шт 448.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBR30T60ANZC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBR30T60ANZC9

Rohm Semiconductor RBR30T60ANZ — это Schottky барьерный диод. Вот основные характеристики и особенности:

  • Номинальный ток: 30 А
  • Номинальное напряжение: 60 В
  • Рабочий диапазон температур: от -40°C до +125°C
  • Тип: Schottky барьерный диод
  • Материал: Si (silicon)
  • Форм-фактор: SOT-223

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое напряжении срабатывания (меньше 0,3 В)
  • Низкий тепловой затрат
  • Устойчивость к перенапряжению

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Необходимость использования радиатора для эффективного охлаждения при больших токах

Общее назначение:

  • Защита электронных устройств от обратного напряжения
  • Компенсация искажений в схемах
  • Использование в источниках питания

Применяется в:

  • Электронных устройствах
  • Источниках питания
  • Автомобильных системах
  • Инверторах и преобразователях
  • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики RBR30T60ANZC9

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    60 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    15A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    670 mV @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    600 µA @ 60 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220FN
  • Base Product Number
    RBR30

Техническая документация

 RBR30T60ANZC9.pdf
pdf. 0 kb
  • 898 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    448 ₽
  • 50
    219 ₽
  • 100
    197 ₽
  • 500
    158 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RBR30T60ANZC9
  • Описание:
    RBR30T60ANZ IS SCHOTTKY BARRIERВсе характеристики

Минимальная цена RBR30T60ANZC9 при покупке от 1 шт 448.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RBR30T60ANZC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RBR30T60ANZC9

Rohm Semiconductor RBR30T60ANZ — это Schottky барьерный диод. Вот основные характеристики и особенности:

  • Номинальный ток: 30 А
  • Номинальное напряжение: 60 В
  • Рабочий диапазон температур: от -40°C до +125°C
  • Тип: Schottky барьерный диод
  • Материал: Si (silicon)
  • Форм-фактор: SOT-223

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое напряжении срабатывания (меньше 0,3 В)
  • Низкий тепловой затрат
  • Устойчивость к перенапряжению

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Необходимость использования радиатора для эффективного охлаждения при больших токах

Общее назначение:

  • Защита электронных устройств от обратного напряжения
  • Компенсация искажений в схемах
  • Использование в источниках питания

Применяется в:

  • Электронных устройствах
  • Источниках питания
  • Автомобильных системах
  • Инверторах и преобразователях
  • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики RBR30T60ANZC9

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    60 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    15A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    670 mV @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    600 µA @ 60 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220FN
  • Base Product Number
    RBR30

Техническая документация

 RBR30T60ANZC9.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MURF1660CTHDIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
    246Кешбэк 36 баллов
    STPSC20H12CWLДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
    1 165Кешбэк 174 балла
    HERF1608GDIODE ARRAY GP 16A ITO-220AB
    341Кешбэк 51 балл
    RBR10NS30AFHTLDIODE ARRAY SCHOTT 30V 10A LPDS
    372Кешбэк 55 баллов
    RBR20NS60AFHTLDIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A LPDS
    378Кешбэк 56 баллов
    S16MSD2Диод: DIODE STD D2PAK 1000V 16A
    155Кешбэк 23 балла
    BAS21TWQ-7DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT363
    59Кешбэк 8 баллов
    UGF1005GDIODE ARRAY GP 300V ITO-220AB
    252Кешбэк 37 баллов
    MURS1660FCTA-BP16A/600V FRED RECTIFIERS,ITO-220
    270Кешбэк 40 баллов
    RBR10NS60AFHTLDIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
    315Кешбэк 47 баллов
    UGF1606GDIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB
    200Кешбэк 30 баллов
    BAS16DWДиод: DIODE SOT-363 100V 0.2A 4NS
    7.4Кешбэк 1 балл
    VS-16CTU04-1-M3DIODE ARRAY SCHOTTKY 400V TO262
    156Кешбэк 23 балла
    VS-MBR1535CT-M3DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO220AB
    324Кешбэк 48 баллов
    RBQ10NS65AFHTLDIODE (RECTIFIER FRD) 65V-VRM 65
    302Кешбэк 45 баллов
    MBRD2060CTDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V DPAK
    191Кешбэк 28 баллов
    HER1603G C0GDIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB
    445Кешбэк 66 баллов
    RB238T-60NZC9DIODE SCHOTTKY SUPER LOW IR
    259Кешбэк 38 баллов
    SK3020CD2Диод: SCHOTTKY D2PAK 20V 30A
    135Кешбэк 20 баллов
    RBQ30T65ANZC9RBQ30T65ANZ IS LOW IR
    230Кешбэк 34 балла
    FFB20UP20DN-F085DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK
    361Кешбэк 54 балла
    RB238NS-40TLSUPER LOW IR, 40V, 40A, TO-263S
    543Кешбэк 81 балл
    MBR2090CTLFAJDIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB
    178Кешбэк 26 баллов
    RBR20T40ANZC9RBR20T40ANZ IS LOW VF
    393Кешбэк 58 баллов
    RBR30T60ANZC9RBR30T60ANZ IS SCHOTTKY BARRIER
    448Кешбэк 67 баллов
    UGF2005GDIODE ARRAY GP 300V ITO-220AB
    313Кешбэк 46 баллов
    RB215T-90NZC990V, 20A, ITO-220AB, SCHOTTKY BA
    545Кешбэк 81 балл
    SR1620PT C0GDIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TO247AD
    730Кешбэк 109 баллов
    RB088NS-30TLSUPER LOW IR, 30V, 10A, TO-263S
    223Кешбэк 33 балла
    RB218NS100FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 100V 20A LPDS
    474Кешбэк 71 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП