Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RD3G07BATTL1

RD3G07BATTL1

RD3G07BATTL1
;
RD3G07BATTL1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RD3G07BATTL1 при покупке от 1 шт 522.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RD3G07BATTL1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RD3G07BATTL1

RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): -40В
    • Максимальный ток (ID): -70А
    • Тип: POWER MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Power SO8
    • Эффективная работа при больших токах
    • Низкий ток смещения (low RDS(on))
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокого тепловыделения
    • Необходимо соблюдать ограничения по рабочей температуре
  • Общее назначение:
    • Передача мощности в различных электронных устройствах
    • Регулирование напряжения в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Мощных источниках питания
    • Инструментах с электродвигателями
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики RD3G07BATTL1

Техническая документация

RD3G07BATTL1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4344 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    522 ₽
  • 10
    335 ₽
  • 100
    257 ₽
  • 500
    217 ₽
  • 2500
    177 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RD3G07BATTL1 при покупке от 1 шт 522.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RD3G07BATTL1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RD3G07BATTL1

RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): -40В
    • Максимальный ток (ID): -70А
    • Тип: POWER MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Power SO8
    • Эффективная работа при больших токах
    • Низкий ток смещения (low RDS(on))
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокого тепловыделения
    • Необходимо соблюдать ограничения по рабочей температуре
  • Общее назначение:
    • Передача мощности в различных электронных устройствах
    • Регулирование напряжения в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Мощных источниках питания
    • Инструментах с электродвигателями
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики RD3G07BATTL1

Техническая документация

RD3G07BATTL1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории