Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RD3P08BBDTL

RD3P08BBDTL

RD3P08BBDTL
;
RD3P08BBDTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RD3P08BBDTL при покупке от 1 шт 452.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RD3P08BBDTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RD3P08BBDTL

RD3P08BBDTL ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 100V 80A TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 100В
    • Разрядная токовая способность (ID(on)): 80А
    • Коллекторный-эмиттерное напряжение (VDS): 100В
    • Форм-фактор: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях
    • Малое энергетическое сопротивление
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
    • Не рекомендуется использовать при высоких частотах из-за паразитных емкостей
    • Наличие порогового напряжения
  • Общее назначение:
    • Переключение высоких токов в электронных цепях
    • Контроль напряжений в системах управления
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных контроллерах
    • Энергосберегающих приборах
    • Двигателях переменной частоты
    • Мощных источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики RD3P08BBDTL

Техническая документация

RD3P08BBDTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 2106 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    452 ₽
  • 10
    317 ₽
  • 100
    293 ₽
  • 500
    280 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RD3P08BBDTL при покупке от 1 шт 452.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RD3P08BBDTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RD3P08BBDTL

RD3P08BBDTL ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 100V 80A TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 100В
    • Разрядная токовая способность (ID(on)): 80А
    • Коллекторный-эмиттерное напряжение (VDS): 100В
    • Форм-фактор: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях
    • Малое энергетическое сопротивление
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
    • Не рекомендуется использовать при высоких частотах из-за паразитных емкостей
    • Наличие порогового напряжения
  • Общее назначение:
    • Переключение высоких токов в электронных цепях
    • Контроль напряжений в системах управления
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных контроллерах
    • Энергосберегающих приборах
    • Двигателях переменной частоты
    • Мощных источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики RD3P08BBDTL

Техническая документация

RD3P08BBDTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории