Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1
;
RD3S100CNTL1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RD3S100CNTL1 при покупке от 1 шт 472.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RD3S100CNTL1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 190V 10A TO252

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 190В
    • Номинальный ток (ID(on)): 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малое значение RDS(on)
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Минимальные потери энергии
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с транзисторами других типов
    • Необходимость учитывать температурный диапазон
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Работа в источниках питания
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Управление нагрузками в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Измерительной технике
    • Домашней бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики RD3S100CNTL1

Техническая документация

RD3S100CNTL1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2006 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    472 ₽
  • 10
    351 ₽
  • 100
    251 ₽
  • 500
    206 ₽
  • 2500
    189 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RD3S100CNTL1 при покупке от 1 шт 472.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RD3S100CNTL1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 190V 10A TO252

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 190В
    • Номинальный ток (ID(on)): 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малое значение RDS(on)
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Минимальные потери энергии
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с транзисторами других типов
    • Необходимость учитывать температурный диапазон
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Работа в источниках питания
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Управление нагрузками в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Измерительной технике
    • Домашней бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики RD3S100CNTL1

Техническая документация

RD3S100CNTL1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории