Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RF4E110GNTR

RF4E110GNTR

RF4E110GNTR
;
RF4E110GNTR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RF4E110GNTR при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RF4E110GNTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RF4E110GNTR

RF4E110GNTR ROHM Semiconductor Диод: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Максимальная токовая способность (ID): 11А
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при номинальном напряжении
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Необходимо наличие внешнего источника питания для поддержания тока
    • Уязвимость к электрическим шумам
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Работа в цифровых и аналоговых цепях
    • Защита от перенапряжений и перетока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Электронные блоки питания
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики RF4E110GNTR

Техническая документация

RF4E110GNTR.pdf
pdf. 0 kb
  • 5002 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 100
    44 ₽
  • 1000
    35.6 ₽
  • 6000
    29 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RF4E110GNTR при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RF4E110GNTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RF4E110GNTR

RF4E110GNTR ROHM Semiconductor Диод: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Максимальная токовая способность (ID): 11А
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при номинальном напряжении
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Необходимо наличие внешнего источника питания для поддержания тока
    • Уязвимость к электрическим шумам
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Работа в цифровых и аналоговых цепях
    • Защита от перенапряжений и перетока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Электронные блоки питания
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики RF4E110GNTR

Техническая документация

RF4E110GNTR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории