Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
RF5L08350CB4
RF5L08350CB4

RF5L08350CB4

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    RF5L08350CB4
  • Описание:
    Транзистор: 400 W, 50 V, 0.4 TO 1 GHZ RF POWВсе характеристики

Минимальная цена RF5L08350CB4 при покупке от 1 шт 32192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RF5L08350CB4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RF5L08350CB4

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    1µA
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    B4E
  • Исполнение корпуса
    B4E
Техническая документация
 RF5L08350CB4.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 110 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    32 192 ₽
  • 10
    27 344 ₽
  • 120
    21 254 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    RF5L08350CB4
  • Описание:
    Транзистор: 400 W, 50 V, 0.4 TO 1 GHZ RF POWВсе характеристики

Минимальная цена RF5L08350CB4 при покупке от 1 шт 32192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RF5L08350CB4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RF5L08350CB4

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    1µA
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    B4E
  • Исполнение корпуса
    B4E
Техническая документация
 RF5L08350CB4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CPH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    BLC9G22LS-160VTZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3
    14 245Кешбэк 2 136 баллов
    EC4409C-TL-HNCH 1.8V DRIVE SERIES
    33.6Кешбэк 5 баллов
    2SJ659-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    138Кешбэк 20 баллов
    FW4604-TL-2WXТранзистор: NCH+PCH 4.5V DRIVE SERIES
    80Кешбэк 12 баллов
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    3 077Кешбэк 461 балл
    2SK2534-TL-ENCH 10V DRIVE SERIES
    627Кешбэк 94 балла
    30C01M-TL-EBIP NPN 0.4A 30V
    15Кешбэк 2 балла
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    59 918Кешбэк 8 987 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    48 079Кешбэк 7 211 баллов
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    67 629Кешбэк 10 144 балла
    CGHV40180F-AMP3Транзистор: 960-1250MHZ, AMP W/ CGHV40180F
    296 723Кешбэк 44 508 баллов
    BLC9G15XS-400AVTZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7
    14 782Кешбэк 2 217 баллов
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    91Кешбэк 13 баллов
    IRF225N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    463Кешбэк 69 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 562Кешбэк 384 балла
    BLC9H10XS-606AZТранзистор: BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
    19 535Кешбэк 2 930 баллов
    GTVA311801FA-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    80 870Кешбэк 12 130 баллов
    CGH09120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440095
    75 406Кешбэк 11 310 баллов
    BLA1011-10Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    22 464Кешбэк 3 369 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    65Кешбэк 9 баллов
    CG2H80030D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    22 959Кешбэк 3 443 балла
    CPH6413-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    22.4Кешбэк 3 балла
    B10G3741N55DZТранзистор: IC 28V LDMOS RF SOT1462-1
    6 420Кешбэк 963 балла
    MCH3414-EBM-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    18.7Кешбэк 2 балла
    CPH3417-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    28Кешбэк 4 балла
    A2T27S007NT1Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    1 110Кешбэк 166 баллов
    CPH3338-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    CE3512K2-C1Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    312Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП