Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RFD16N05LSM9A
  • В избранное
  • В сравнение
RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A
;
RFD16N05LSM9A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    RFD16N05LSM9A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 50V 16A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена RFD16N05LSM9A при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFD16N05LSM9A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A UMW MOSFET N-Ч 50В 16А TO252AA

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полевик (MOSFET)
    • Рейтинг напряжения: 50В
    • Рейтинг тока: 16А
    • Пакет: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкое сопротивление при включении
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с электрическим шумом без правильного заземления
  • Общее назначение:
    • Управление электронными цепями
    • Изменение уровня напряжения
    • Переключение электрических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Системы питания
    • Электронные устройства для потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики RFD16N05LSM9A

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    47mOhm @ 16A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    RFD16N05

Техническая документация

 RFD16N05LSM9A.pdf
pdf. 0 kb
  • 700 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    185 ₽
  • 10
    115 ₽
  • 500
    58 ₽
  • 2500
    46 ₽
  • 7500
    41 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    RFD16N05LSM9A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 50V 16A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена RFD16N05LSM9A при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFD16N05LSM9A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A UMW MOSFET N-Ч 50В 16А TO252AA

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полевик (MOSFET)
    • Рейтинг напряжения: 50В
    • Рейтинг тока: 16А
    • Пакет: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкое сопротивление при включении
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с электрическим шумом без правильного заземления
  • Общее назначение:
    • Управление электронными цепями
    • Изменение уровня напряжения
    • Переключение электрических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Системы питания
    • Электронные устройства для потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики RFD16N05LSM9A

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    47mOhm @ 16A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    RFD16N05

Техническая документация

 RFD16N05LSM9A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI3460BDV-T1-E3MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
    239Кешбэк 35 баллов
    IRFD320MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP
    341Кешбэк 51 балл
    BUK7108-40AIE,118PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1
    298Кешбэк 44 балла
    STI40N65M2MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
    860Кешбэк 129 баллов
    BUK9E04-30B,127MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    519Кешбэк 77 баллов
    SI4442DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
    482Кешбэк 72 балла
    BS107PSTZMOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
    166Кешбэк 24 балла
    IRFI540GPBFMOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
    215Кешбэк 32 балла
    DMN6068SE-13MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
    107Кешбэк 16 баллов
    TN0604N3-G-P005MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
    282Кешбэк 42 балла
    STF42N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
    1 301Кешбэк 195 баллов
    STB36NM60NMOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    1 488Кешбэк 223 балла
    IRF510STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    282Кешбэк 42 балла
    HUF75639G3MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
    774Кешбэк 116 баллов
    FDB28N30TMТранзистор: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
    324Кешбэк 48 баллов
    SIHP23N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB
    698Кешбэк 104 балла
    IRFR9110PBFMOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    FDPF13N50FTТранзистор: MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
    176Кешбэк 26 баллов
    STP5N105K5MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
    615Кешбэк 92 балла
    RSR010N10TLMOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
    196Кешбэк 29 баллов
    FDB888011A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
    480Кешбэк 72 балла
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    826Кешбэк 123 балла
    IRFP7430PBFMOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    496Кешбэк 74 балла
    BUK662R4-40C,118
    345Кешбэк 51 балл
    FDB016N04AL7POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    358Кешбэк 53 балла
    FDB8444Транзистор: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
    339Кешбэк 50 баллов
    IRF630STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла
    IRF620STRRPBFMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
    515Кешбэк 77 баллов
    SIHB16N50C-E3MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
    1 019Кешбэк 152 балла
    IRFS9N60ATRRPBFMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    754Кешбэк 113 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП