RFD16N05NL

RFD16N05NL Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET — это мощной токовыделяющая полупроводниковая транзисторная схема (P-MOSFET), предназначенная для применения в различных электронных устройствах.

• Основные параметры:
• V_DS(on) = 20 V — напряжение на дрене при переходе в режим провода.
• I_D = 16 A — максимальный ток дрени.
• V_GS(th) = 4 V — напряжение гейта для начала работы.
• R_DS(on) = 0.07 Ω — сопротивление канала при проводимости.

• Плюсы:
• Высокая проводимость.
• Малое энергетическое сопротивление.
• Низкий ток утечки при отключенном канале.
• Устойчивость к перегреву.

• Минусы:
• Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках.
• Возможны проблемы с управляемостью при очень низких напряжениях.
• Некоторые типы шумов могут влиять на работу.

• Общее назначение:
• Управление токами в различных электронных устройствах.
• Регулирование напряжений.
• Защита от перегрузок и перегрева.

• Применяется в:
• Мощных преобразователях.
• Инверторах.
• Автомобильных системах.
• Электронных устройствах с высокими требованиями к мощности.