Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A
;
RFD3055LESM9A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RFD3055LESM9A при покупке от 1 шт 97.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFD3055LESM9A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET N-ЧЕРТЯНОЕ ПОЛОСОТОВОЕ, 60В, 11А, TO252AA

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Тип поля: N-чертяное полосотовое (N-Channel)
    • Номинальный напряжение блокировки (VGS(th)): 3.0 В
    • Номинальный ток смещения (ID(on)): 11 А
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 60 В
    • Форм-фактор: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении управления
    • Малые потери энергии при работе
    • Простота использования и надежность
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Недостаточная защита от перегрева без дополнительных мер
    • Требует корректного подключения для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Изменение тока в электрической цепи с помощью небольшого сигнала
    • Регулировка и управление потребителями электричества
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики RFD3055LESM9A

Техническая документация

RFD3055LESM9A.pdf
pdf. 0 kb
  • 1953 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    97 ₽
  • 10
    74 ₽
  • 25
    70 ₽
  • 100
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RFD3055LESM9A при покупке от 1 шт 97.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFD3055LESM9A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET N-ЧЕРТЯНОЕ ПОЛОСОТОВОЕ, 60В, 11А, TO252AA

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Тип поля: N-чертяное полосотовое (N-Channel)
    • Номинальный напряжение блокировки (VGS(th)): 3.0 В
    • Номинальный ток смещения (ID(on)): 11 А
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 60 В
    • Форм-фактор: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении управления
    • Малые потери энергии при работе
    • Простота использования и надежность
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Недостаточная защита от перегрева без дополнительных мер
    • Требует корректного подключения для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Изменение тока в электрической цепи с помощью небольшого сигнала
    • Регулировка и управление потребителями электричества
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики RFD3055LESM9A

Техническая документация

RFD3055LESM9A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории