Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
RFN20TJ6SGC9
  • В избранное
  • В сравнение
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9
;
RFN20TJ6SGC9

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RFN20TJ6SGC9
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 20A TO220Все характеристики

Минимальная цена RFN20TJ6SGC9 при покупке от 1 шт 461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFN20TJ6SGC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9 — это диод, произведенный компанией Rohm Semiconductor для общего назначения.

  • Напряжение обратного сечения: 600 В
  • Потребляемая ток: 20 А
  • Форм-фактор: TO-220

Плюсы:

  • Высокое напряжение обратного сечения (600 В)
  • Высокая потребляемая ток (20 А)
  • Доступен в стандартном корпусе TO-220, что облегчает монтаж

Минусы:

  • Средний класс надежности, не подходит для высокоскоростных приложений
  • Тепловыделение может быть значительным при работе под нагрузкой

Общее назначение: RFN20TJ6SGC9 используется для защиты электронных схем от обратного напряжения и для ограничения тока.

Применяется в:

  • Питательных цепях электроприборов
  • Автомобильных системах
  • Электронных устройствах с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики RFN20TJ6SGC9

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.55 V @ 20 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220ACFP
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C (Max)
  • Base Product Number
    RFN20

Техническая документация

 RFN20TJ6SGC9.pdf
pdf. 0 kb
  • 1992 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    461 ₽
  • 10
    195 ₽
  • 500
    182 ₽
  • 2000
    148 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RFN20TJ6SGC9
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 20A TO220Все характеристики

Минимальная цена RFN20TJ6SGC9 при покупке от 1 шт 461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFN20TJ6SGC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9 — это диод, произведенный компанией Rohm Semiconductor для общего назначения.

  • Напряжение обратного сечения: 600 В
  • Потребляемая ток: 20 А
  • Форм-фактор: TO-220

Плюсы:

  • Высокое напряжение обратного сечения (600 В)
  • Высокая потребляемая ток (20 А)
  • Доступен в стандартном корпусе TO-220, что облегчает монтаж

Минусы:

  • Средний класс надежности, не подходит для высокоскоростных приложений
  • Тепловыделение может быть значительным при работе под нагрузкой

Общее назначение: RFN20TJ6SGC9 используется для защиты электронных схем от обратного напряжения и для ограничения тока.

Применяется в:

  • Питательных цепях электроприборов
  • Автомобильных системах
  • Электронных устройствах с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики RFN20TJ6SGC9

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.55 V @ 20 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220ACFP
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C (Max)
  • Base Product Number
    RFN20

Техническая документация

 RFN20TJ6SGC9.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SMBT1231LT1GSS SOT23 GP XSTR SPCL TR
    7.4Кешбэк 1 балл
    SBRB106CTT4SCHOTTKY RECTIFIER, D2PAK
    18.5Кешбэк 2 балла
    NSR15405NXT5GDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A 2DSN
    24Кешбэк 3 балла
    BAS19-ONДиод: RECTIFIER, 0.2A, 120V, TO-236AB
    7.4Кешбэк 1 балл
    UJ3D06506TS650V 6A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
    650Кешбэк 97 баллов
    SBT150-10JRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
    159Кешбэк 23 балла
    NRVTS2H60ESFT3GДиод: TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
    80Кешбэк 12 баллов
    NTSB40120CTT4GRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA
    207Кешбэк 31 балл
    BAS40P2T5GDIODE SCHOTTKY 40V SOD-923
    54Кешбэк 8 баллов
    SMBT1583LT3GSS SOT23 DR XSTR SPCL TR
    7.4Кешбэк 1 балл
    NRVBA1H100NT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 1A 100V 1201 SMA2
    102Кешбэк 15 баллов
    DSA12TLRECTIFIER DIODE, 1.2A, 1000V
    248Кешбэк 37 баллов
    M1MA151KT2RECTIFIER DIODE, 0.1A
    7.4Кешбэк 1 балл
    SMBT1580LT3SS SOT23 GP XSTR SPCL TR
    7.4Кешбэк 1 балл
    DSK10G-BTRECTIFIER DIODE, 1A, 600V
    18.5Кешбэк 2 балла
    SMBT1565LT1SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
    18.5Кешбэк 2 балла
    NRVUS2MADIODE GPP 1.5A SMA DO-214AC
    83Кешбэк 12 баллов
    SMMBD2837LT1RECTIFIER DIODE
    7.4Кешбэк 1 балл
    MSD6150RECTIFIER DIODE
    11.1Кешбэк 1 балл
    NRVUS230VT3GDIODE GEN PURP 300V 2A SMB
    25Кешбэк 3 балла
    SMBT1553LT1SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
    18.5Кешбэк 2 балла
    SBRS8190T3G-VF01DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB
    46Кешбэк 6 баллов
    UJ3D06508TS650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
    761Кешбэк 114 баллов
    1N4148-T26ADIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    16.7Кешбэк 2 балла
    NRVBAF3200T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMA-FL
    245Кешбэк 36 баллов
    NRVBA340NT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 3A 40V 1201 SMA2
    106Кешбэк 15 баллов
    NRVBS230LNT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 2A 30V SMB2
    65Кешбэк 9 баллов
    FES10GULTRAFAST RECTIFIER
    293Кешбэк 43 балла
    SS3003CH-TL-EDIODE SCHOTTKY 30V 3A 6CPH
    56Кешбэк 8 баллов
    MUR480ESRECTIFIER DIODE
    57Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП