Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RFP2P08

RFP2P08

RFP2P08
;
RFP2P08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RFP2P08 при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFP2P08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFP2P08

RFP2P08 Harris Corporation P-CHANNEL POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения GTO (VGS(th)): ≤ 2 V
    • Рейтинг тока (ID): 10 A
    • Рейтинг мощности (PD): 3 W
    • Коэффициент сопротивления при срабатывании (RDS(on)): ≤ 1.9 Ω (при 10 A)
  • Плюсы:
    • Низкое значение коэффициента сопротивления при срабатывании (RDS(on)) обеспечивает минимальные потери энергии.
    • Низкий рейтинг напряжения GTO позволяет использовать его в широком диапазоне приложений.
    • Высокая надежность и стабильность работы.
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за небольшого рейтинга мощности.
    • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и перенапряжений.
  • Общее назначение:
    • Применяется в силовых цепях электроники для управления током.
    • Используется в системах питания, преобразователях энергии, электроприводах и других устройствах, где требуется управление мощными токами.
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи энергии для адаптеров питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленное оборудование.
    • Автомобильная электроника.
Выбрано: Показать

Характеристики RFP2P08

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

RFP2P08.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 3 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RFP2P08 при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFP2P08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFP2P08

RFP2P08 Harris Corporation P-CHANNEL POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения GTO (VGS(th)): ≤ 2 V
    • Рейтинг тока (ID): 10 A
    • Рейтинг мощности (PD): 3 W
    • Коэффициент сопротивления при срабатывании (RDS(on)): ≤ 1.9 Ω (при 10 A)
  • Плюсы:
    • Низкое значение коэффициента сопротивления при срабатывании (RDS(on)) обеспечивает минимальные потери энергии.
    • Низкий рейтинг напряжения GTO позволяет использовать его в широком диапазоне приложений.
    • Высокая надежность и стабильность работы.
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за небольшого рейтинга мощности.
    • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и перенапряжений.
  • Общее назначение:
    • Применяется в силовых цепях электроники для управления током.
    • Используется в системах питания, преобразователях энергии, электроприводах и других устройствах, где требуется управление мощными токами.
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи энергии для адаптеров питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленное оборудование.
    • Автомобильная электроника.
Выбрано: Показать

Характеристики RFP2P08

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

RFP2P08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3 шт