Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGCL60TK60GC11
  • В избранное
  • В сравнение
RGCL60TK60GC11

RGCL60TK60GC11

RGCL60TK60GC11
;
RGCL60TK60GC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGCL60TK60GC11
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGCL60TK60GC11 при покупке от 1 шт 560.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGCL60TK60GC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGCL60TK60GC11

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - это тип транзистора, который используется для управления токами в электрических цепях.

  • Основные параметры:
    • Uceo - напряжение междуCollector и Emitter при отключенном Gate.
    • Icm - максимальный ток междуCollector и Emitter.
    • Ugs(th) - напряжение срабатывания.
    • tRon - время перехода в ON-состояние.
    • tToff - время перехода в OFF-состояние.
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в диапазоне средних и высоких напряжений.
    • Простота управления с помощью сигнала смещения.
    • Малый тепловой напрямик.
    • Высокий коэффициент усиления.
  • Минусы:
    • Высокие потери в состоянии перехода.
    • Требуется дополнительное охлаждение.
    • Уязвимость к скачкам напряжения.
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в промышленных системах.
    • Регулирование частоты работы двигателей.
    • Энергосберегающие системы.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы.
    • Промышленное оборудование.
    • Системы управления двигателями.
    • Энергосберегающие приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики RGCL60TK60GC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    54 W
  • Энергия переключения
    770µJ (on), 1.11mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    68 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    44ns/186ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PFM
  • Base Product Number
    RGCL60

Техническая документация

 RGCL60TK60GC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 45 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    560 ₽
  • 30
    302 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGCL60TK60GC11
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGCL60TK60GC11 при покупке от 1 шт 560.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGCL60TK60GC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGCL60TK60GC11

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - это тип транзистора, который используется для управления токами в электрических цепях.

  • Основные параметры:
    • Uceo - напряжение междуCollector и Emitter при отключенном Gate.
    • Icm - максимальный ток междуCollector и Emitter.
    • Ugs(th) - напряжение срабатывания.
    • tRon - время перехода в ON-состояние.
    • tToff - время перехода в OFF-состояние.
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в диапазоне средних и высоких напряжений.
    • Простота управления с помощью сигнала смещения.
    • Малый тепловой напрямик.
    • Высокий коэффициент усиления.
  • Минусы:
    • Высокие потери в состоянии перехода.
    • Требуется дополнительное охлаждение.
    • Уязвимость к скачкам напряжения.
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в промышленных системах.
    • Регулирование частоты работы двигателей.
    • Энергосберегающие системы.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы.
    • Промышленное оборудование.
    • Системы управления двигателями.
    • Энергосберегающие приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики RGCL60TK60GC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    54 W
  • Энергия переключения
    770µJ (on), 1.11mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    68 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    44ns/186ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PFM
  • Base Product Number
    RGCL60

Техническая документация

 RGCL60TK60GC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRGBC30UТранзистор: IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
    7 726Кешбэк 1 158 баллов
    HGTG40N60C3RТранзистор: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
    1 465Кешбэк 219 баллов
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    560Кешбэк 84 балла
    IKW50N60TFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    1 002Кешбэк 150 баллов
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    835Кешбэк 125 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    IXA70R1200NAТранзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
    7 527Кешбэк 1 129 баллов
    STGWA40HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
    820Кешбэк 122 балла
    IHW25N120E1XKSA1Транзистор: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
    589Кешбэк 88 баллов
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    611Кешбэк 91 балл
    APT35GP120B2D2GТранзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
    3 572Кешбэк 535 баллов
    IKFW40N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW40N65ES5XKSA1
    1 338Кешбэк 200 баллов
    GT30N135SRA,S1EТранзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
    791Кешбэк 118 баллов
    IGW30N60TPXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
    361Кешбэк 54 балла
    AIGB40N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    960Кешбэк 144 балла
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    IXYH55N120C4Транзистор: IGBT 1200V 55A GEN4 XPT TO247
    1 874Кешбэк 281 балл
    STGW100H65FB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
    1 285Кешбэк 192 балла
    IGW30N60TFKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    698Кешбэк 104 балла
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 276Кешбэк 341 балл
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    FGY160T65SPD-F085Транзистор: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
    2 949Кешбэк 442 балла
    IKD03N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
    224Кешбэк 33 балла
    IHW30N135R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    565Кешбэк 84 балла
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    STGWA20IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    706Кешбэк 105 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП