Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RGCL80TK60DGC11

RGCL80TK60DGC11

RGCL80TK60DGC11
;
RGCL80TK60DGC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RGCL80TK60DGC11 при покупке от 1 шт 641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGCL80TK60DGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGCL80TK60DGC11

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение вCollector (VCE)
    • Максимальный ток Collector (IC)
    • Питательная частота (fmax)
    • Эффективный коэффициент сопротивления (Ron)
  • Плюсы:
    • Высокий КПД
    • Низкий энергетический потерь при работе
    • Большая надежность и долговечность
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов и напряжений
    • Управление двигателем переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RGCL80TK60DGC11

Техническая документация

RGCL80TK60DGC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 302 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    641 ₽
  • 30
    349 ₽
  • 120
    284 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RGCL80TK60DGC11 при покупке от 1 шт 641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGCL80TK60DGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGCL80TK60DGC11

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение вCollector (VCE)
    • Максимальный ток Collector (IC)
    • Питательная частота (fmax)
    • Эффективный коэффициент сопротивления (Ron)
  • Плюсы:
    • Высокий КПД
    • Низкий энергетический потерь при работе
    • Большая надежность и долговечность
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов и напряжений
    • Управление двигателем переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RGCL80TK60DGC11

Техническая документация

RGCL80TK60DGC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории