Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL
;
RGT16BM65DTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RGT16BM65DTL при покупке от 1 шт 541.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT16BM65DTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Rohm Semiconductor. IGBT представляет собой комбинированный транзистор, который сочетает в себе преимущества MOSFET и BJT.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение collector-emitter (VCE(MON)): 650 В
    • Максимальный ток collector (IC(TH)): 16 А
    • Тип: IGBT
    • Производитель: Rohm Semiconductor

Плюсы IGBT:

  • Высокий КПД: Эффективность работы на высоких частотах.
  • Малые потери: Меньше тепловых потерь по сравнению с обычными транзисторами.
  • Быстрое включение/выключение: Быстрый переход в режимы включения и выключения.
  • Устойчивость к перенапряжениям: Хорошая защита от импульсных перенапряжений.

Минусы IGBT:

  • Сложность управления: Требуется более сложная система управления по сравнению с MOSFET.
  • Высокие начальные затраты: Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение: Используются для управления электрическим током в различных приложениях, требующих высокую мощность и эффективность, такие как:

  • Приводы двигателей
  • Инверторы питания
  • Автомобильные системы
  • Оборудование для управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики RGT16BM65DTL

Техническая документация

RGT16BM65DTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 9285 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    541 ₽
  • 10
    350 ₽
  • 100
    242 ₽
  • 500
    200 ₽
  • 2500
    163 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RGT16BM65DTL при покупке от 1 шт 541.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT16BM65DTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Rohm Semiconductor. IGBT представляет собой комбинированный транзистор, который сочетает в себе преимущества MOSFET и BJT.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение collector-emitter (VCE(MON)): 650 В
    • Максимальный ток collector (IC(TH)): 16 А
    • Тип: IGBT
    • Производитель: Rohm Semiconductor

Плюсы IGBT:

  • Высокий КПД: Эффективность работы на высоких частотах.
  • Малые потери: Меньше тепловых потерь по сравнению с обычными транзисторами.
  • Быстрое включение/выключение: Быстрый переход в режимы включения и выключения.
  • Устойчивость к перенапряжениям: Хорошая защита от импульсных перенапряжений.

Минусы IGBT:

  • Сложность управления: Требуется более сложная система управления по сравнению с MOSFET.
  • Высокие начальные затраты: Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение: Используются для управления электрическим током в различных приложениях, требующих высокую мощность и эффективность, такие как:

  • Приводы двигателей
  • Инверторы питания
  • Автомобильные системы
  • Оборудование для управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики RGT16BM65DTL

Техническая документация

RGT16BM65DTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории