Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9
;
RGT16NS65DGC9

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RGT16NS65DGC9 при покупке от 1 шт 339.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT16NS65DGC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor Транзистор: IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток (ITO): 16 А
    • Рейтингное напряжение (UCE(OFF)): 650 В
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент мощности
    • Малая емкость паразитного КПД
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительных компонентов для управления
  • Общее назначение:
    • Переключение высокого напряжения и тока
    • Контроль мощности в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах
    • Инверторных системах для домашнего использования
    • Промышленных преобразователях частоты
    • Системах управления двигателем
    • Солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
Выбрано: Показать

Характеристики RGT16NS65DGC9

Техническая документация

RGT16NS65DGC9.pdf
pdf. 0 kb
  • 651 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    339 ₽
  • 50
    162 ₽
  • 500
    115 ₽
  • 2000
    97 ₽
  • 10000
    86 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RGT16NS65DGC9 при покупке от 1 шт 339.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT16NS65DGC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor Транзистор: IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток (ITO): 16 А
    • Рейтингное напряжение (UCE(OFF)): 650 В
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент мощности
    • Малая емкость паразитного КПД
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительных компонентов для управления
  • Общее назначение:
    • Переключение высокого напряжения и тока
    • Контроль мощности в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах
    • Инверторных системах для домашнего использования
    • Промышленных преобразователях частоты
    • Системах управления двигателем
    • Солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
Выбрано: Показать

Характеристики RGT16NS65DGC9

Техническая документация

RGT16NS65DGC9.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории