Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RGT30NS65DGC9

RGT30NS65DGC9

RGT30NS65DGC9
;
RGT30NS65DGC9

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RGT30NS65DGC9 при покупке от 1 шт 608.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT30NS65DGC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT30NS65DGC9

RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor Транзистор: IGBT

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжениеcollector-emitter (VCEO): 650 В
    • Максимальный ток collector (ICM): 30 А
    • Максимальная частота работы (fmax): 12 кГц
    • Максимальная температура операции (TCase): 175 °C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и больших токах
    • Устойчивость к перегреву и ударным нагрузкам
    • Низкий коэффициент включения
    • Удобство управления
  • Минусы:
    • Высокие потери при малых токах
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
    • Сложность в дизайне и производстве
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных и высокотоковых цепей
    • Эффективное управление электродвигателями
    • Использование в инверторах и преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы и конвейеры
    • Инверторы для отопления и охлаждения
    • Солнечные батареи и системы энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики RGT30NS65DGC9

Техническая документация

RGT30NS65DGC9.pdf
pdf. 0 kb
  • 889 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    608 ₽
  • 10
    309 ₽
  • 100
    280 ₽
  • 500
    241 ₽
  • 1000
    237 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RGT30NS65DGC9 при покупке от 1 шт 608.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT30NS65DGC9 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT30NS65DGC9

RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor Транзистор: IGBT

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжениеcollector-emitter (VCEO): 650 В
    • Максимальный ток collector (ICM): 30 А
    • Максимальная частота работы (fmax): 12 кГц
    • Максимальная температура операции (TCase): 175 °C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и больших токах
    • Устойчивость к перегреву и ударным нагрузкам
    • Низкий коэффициент включения
    • Удобство управления
  • Минусы:
    • Высокие потери при малых токах
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
    • Сложность в дизайне и производстве
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных и высокотоковых цепей
    • Эффективное управление электродвигателями
    • Использование в инверторах и преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы и конвейеры
    • Инверторы для отопления и охлаждения
    • Солнечные батареи и системы энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики RGT30NS65DGC9

Техническая документация

RGT30NS65DGC9.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории