Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
RGT40NS65DGTL
  • В избранное
  • В сравнение
RGT40NS65DGTL

RGT40NS65DGTL

RGT40NS65DGTL
;
RGT40NS65DGTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGT40NS65DGTL
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 40A 161W TO-263SВсе характеристики

Минимальная цена RGT40NS65DGTL при покупке от 1 шт 643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT40NS65DGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT40NS65DGTL

RGT40NS65DGTL — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Rohm Semiconductor. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(on)): 650 В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 40 А
  • Номинальная мощность (PДУ): 161 Вт
  • Форм-фактор корпуса: TO-263S

Плюсы:

  • Высокая эффективность: высокий коэффициент полезного действия.
  • Малый размер: компактный корпус обеспечивает экономию места.
  • Высокая надежность: стабильная работа даже при экстремальных условиях.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению: необходима дополнительная система охлаждения для работы при больших нагрузках.
  • Высокие цены: относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих управления мощными электрическими токами. Основные области применения включают:

  • Промышленное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Энергосберегающие устройства
  • Инверторы
  • Передатчики и приемники
Выбрано: Показать

Характеристики RGT40NS65DGTL

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    161 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    40 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    22ns/75ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    58 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    LPDS
  • Base Product Number
    RGT40

Техническая документация

 RGT40NS65DGTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 6913 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    643 ₽
  • 10
    419 ₽
  • 100
    292 ₽
  • 500
    253 ₽
  • 1000
    207 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGT40NS65DGTL
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 40A 161W TO-263SВсе характеристики

Минимальная цена RGT40NS65DGTL при покупке от 1 шт 643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT40NS65DGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT40NS65DGTL

RGT40NS65DGTL — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Rohm Semiconductor. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(on)): 650 В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 40 А
  • Номинальная мощность (PДУ): 161 Вт
  • Форм-фактор корпуса: TO-263S

Плюсы:

  • Высокая эффективность: высокий коэффициент полезного действия.
  • Малый размер: компактный корпус обеспечивает экономию места.
  • Высокая надежность: стабильная работа даже при экстремальных условиях.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению: необходима дополнительная система охлаждения для работы при больших нагрузках.
  • Высокие цены: относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих управления мощными электрическими токами. Основные области применения включают:

  • Промышленное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Энергосберегающие устройства
  • Инверторы
  • Передатчики и приемники
Выбрано: Показать

Характеристики RGT40NS65DGTL

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    161 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    40 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    22ns/75ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    58 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    LPDS
  • Base Product Number
    RGT40

Техническая документация

 RGT40NS65DGTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRG4RC20FTRPBFТранзистор: IGBT 600V 22A 66W DPAK
    169Кешбэк 25 баллов
    IRGP4620DPBFТранзистор: IGBT 600V 32A 140W TO247AC
    382Кешбэк 57 баллов
    IRG7PH35UD-EPТранзистор: IGBT 1200V 50A COPAK247
    974Кешбэк 146 баллов
    IRG4BC20UDSTRRPТранзистор: IGBT 600V 13A 60W D2PAK
    333Кешбэк 49 баллов
    AUIRGR4045DТранзистор: IGBT 600V 12A 77W DPAK
    339Кешбэк 50 баллов
    IRGS4607DTRLPBFТранзистор: IGBT 600V 11A D2PAK
    228Кешбэк 34 балла
    IRG4BC15UD-SPBFТранзистор: IGBT 600V 14A 49W D2PAK
    341Кешбэк 51 балл
    IRG7PG35U-EPBFТранзистор: IGBT
    602Кешбэк 90 баллов
    IRGR4045DPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 77W DPAK
    198Кешбэк 29 баллов
    IRG4BC30SPBFТранзистор: IGBT 600V 34A 100W TO220AB
    296Кешбэк 44 балла
    IRG7PG35UPBFТранзистор: IGBT
    543Кешбэк 81 балл
    IRG4BC40UТранзистор: IGBT 600V 40A 160W TO220AB
    489Кешбэк 73 балла
    IRGS6B60KPBFТранзистор: IGBT 600V 13A 90W D2PAK
    270Кешбэк 40 баллов
    IRGB4607DPBFТранзистор: IGBT 600V 11A 58W TO220
    239Кешбэк 35 баллов
    IRGIB7B60KDPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 39W TO220FP
    232Кешбэк 34 балла
    AUIRG4BC30S-SТранзистор: IGBT 600V 34A 100W D2PAK
    348Кешбэк 52 балла
    IRGB15B60KDPBFТранзистор: IGBT 600V 31A 208W TO220AB
    1 198Кешбэк 179 баллов
    IRGB4715DPBFТранзистор: IGBT 650V TO-220AB
    330Кешбэк 49 баллов
    IRG7PH42UPBFТранзистор: IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
    1 654Кешбэк 248 баллов
    IRGB4615DPBFТранзистор: IGBT 600V 23A 99W TO220
    330Кешбэк 49 баллов
    IRGS4715DPBFТранзистор: IGBT WITH RECOVERY DIODE
    339Кешбэк 50 баллов
    IRGP4620D-EPBFТранзистор: IGBT 600V 32A 140W TO247AD
    400Кешбэк 60 баллов
    IRG7PH42UD1PBFТранзистор: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC
    2 168Кешбэк 325 баллов
    IRG4PH50KPBFТранзистор: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
    1 473Кешбэк 220 баллов
    IRG4IBC30WPBFТранзистор: IGBT 600V 17A 45W TO220FP
    537Кешбэк 80 баллов
    AUIRGP4066D1Транзистор: IGBT 600V 140A 454W TO-247AC
    3 712Кешбэк 556 баллов
    IRGR4610DPBFТранзистор: IGBT 600V 16A 77W DPAK
    358Кешбэк 53 балла
    IRG4BC30WТранзистор: IGBT 600V 23A 100W TO220AB
    493Кешбэк 73 балла
    IRG7PSH50UDPBFТранзистор: IRG7PSH50 - DISCRETE IGBT WITH A
    1 758Кешбэк 263 балла
    IRGP4266D-EPBFТранзистор: IGBT 650V 140A 455W TO247AD
    1 265Кешбэк 189 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП