Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
RGT40TS65DGC11
  • В избранное
  • В сравнение
RGT40TS65DGC11

RGT40TS65DGC11

RGT40TS65DGC11
;
RGT40TS65DGC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGT40TS65DGC11
  • Описание:
    Транзистор

Минимальная цена RGT40TS65DGC11 при покупке от 1 шт 734.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT40TS65DGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT40TS65DGC11

RGT40TS65DGC11 — это транзистор полупроводникового типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Rohm Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Vds (максимальное напряжение между дrain и source): 650 В
    • Ic (максимальный ток нагрузки): 40 А
    • Rds(on) (сопротивление канала при работе): 32 мОм
    • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая мощность и способность выдерживать большие токи и напряжения.
  • Низкое сопротивление канала при работе в режиме провода, что снижает потери энергии.
  • Хорошая термостабильность и устойчивость к перегреву.
  • Малый размер и легкость в интеграции в электронные устройства.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическим импульсам и помехам.
  • Требуется дополнительное охлаждение при работе под высокими нагрузками.

Общее назначение: RGT40TS65DGC11 используется для управления токами и напряжениями в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем.
  • Инверторы и преобразователи напряжения.
  • Промышленное оборудование и машины.
  • Системы управления электропитанием.
  • Мощные источники питания.

Техническая документация

 RGT40TS65DGC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 426 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    734 ₽
  • 30
    403 ₽
  • 120
    330 ₽
  • 510
    276 ₽
  • 1020
    257 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGT40TS65DGC11
  • Описание:
    Транзистор

Минимальная цена RGT40TS65DGC11 при покупке от 1 шт 734.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT40TS65DGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT40TS65DGC11

RGT40TS65DGC11 — это транзистор полупроводникового типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Rohm Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Vds (максимальное напряжение между дrain и source): 650 В
    • Ic (максимальный ток нагрузки): 40 А
    • Rds(on) (сопротивление канала при работе): 32 мОм
    • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая мощность и способность выдерживать большие токи и напряжения.
  • Низкое сопротивление канала при работе в режиме провода, что снижает потери энергии.
  • Хорошая термостабильность и устойчивость к перегреву.
  • Малый размер и легкость в интеграции в электронные устройства.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическим импульсам и помехам.
  • Требуется дополнительное охлаждение при работе под высокими нагрузками.

Общее назначение: RGT40TS65DGC11 используется для управления токами и напряжениями в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем.
  • Инверторы и преобразователи напряжения.
  • Промышленное оборудование и машины.
  • Системы управления электропитанием.
  • Мощные источники питания.

Техническая документация

 RGT40TS65DGC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGP10NC60KDТранзистор: IGBT 600V 20A 65W TO220
    361Кешбэк 54 балла
    STGB10H60DFТранзистор: IGBT 600V 20A 115W D2PAK
    434Кешбэк 65 баллов
    AUIRGR4045DТранзистор: IGBT 600V 12A 77W DPAK
    339Кешбэк 50 баллов
    IKW03N120H2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
    313Кешбэк 46 баллов
    HGT1S12N60A4DSТранзистор: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
    552Кешбэк 82 балла
    IRG4IBC20WPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 34W TO220FP
    207Кешбэк 31 балл
    FGPF70N33BTTUТранзистор: IGBT, 330V, N-CHANNEL, TO-220AB
    285Кешбэк 42 балла
    AUIRGDC0250Транзистор: IGBT 1200V 141A 543W TO-220
    2 971Кешбэк 445 баллов
    STGD5H60DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    263Кешбэк 39 баллов
    STGD3NB60SDT4Транзистор: IGBT 600V 6A 48W DPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    SKA06N60XKSA1Транзистор: IGBT 600V 9A 32W TO220-3
    130Кешбэк 19 баллов
    STGP30H60DFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    563Кешбэк 84 балла
    IRGS4607DTRLPBFТранзистор: IGBT 600V 11A D2PAK
    228Кешбэк 34 балла
    IRG4BC15UD-SPBFТранзистор: IGBT 600V 14A 49W D2PAK
    341Кешбэк 51 балл
    NGTG15N120FL2WGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
    382Кешбэк 57 баллов
    STGD7NC60HT4Транзистор: IGBT 600V 25A 70W DPAK
    574Кешбэк 86 баллов
    SKB02N60E3266ATMA1Транзистор: IGBT 600V 6A 30W TO263-3
    146Кешбэк 21 балл
    IRG4RC10UTRPBFТранзистор: IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
    133Кешбэк 19 баллов
    STGD18N40LZT4Транзистор: IGBT 420V 25A 125W DPAK
    285Кешбэк 42 балла
    IKP40N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A 255W TO220-3
    409Кешбэк 61 балл
    IXGH36N60B3Транзистор: IGBT 600V 92A 250W TO247
    1 100Кешбэк 165 баллов
    STGB19NC60KT4Транзистор: IGBT 600V 35A 125W D2PAK
    243Кешбэк 36 баллов
    NGB8206ANTF4GТранзистор: IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
    287Кешбэк 43 балла
    SKW20N60FKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 179W TO247-3
    435Кешбэк 65 баллов
    HGTG20N60B3Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    532Кешбэк 79 баллов
    STGD10HF60KDТранзистор: IGBT 600V 10A DPAK
    432Кешбэк 64 балла
    FGPF30N45TTUТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    230Кешбэк 34 балла
    SGB15N60Транзистор: IGBT, 31A, 600V, N-CHANNEL
    306Кешбэк 45 баллов
    STGD8NC60KDT4Транзистор: IGBT 600V 15A 62W DPAK
    332Кешбэк 49 баллов
    STGB15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    456Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП