Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGT50TS65DGC13
  • В избранное
  • В сравнение
RGT50TS65DGC13

RGT50TS65DGC13

RGT50TS65DGC13
;
RGT50TS65DGC13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGT50TS65DGC13
  • Описание:
    Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650Все характеристики

Минимальная цена RGT50TS65DGC13 при покупке от 1 шт 1914.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT50TS65DGC13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT50TS65DGC13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: RGT50TS65DGC13
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: Транзистор
      • 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE: 5 мкС
      • Номинальное напряжение блокировки: 650 В
    • Плюсы:
      • Высокая способность переносить короткое замыкание (5 мкС)
      • Высокое номинальное напряжение блокировки (650 В)
      • Устойчивость к внешним воздействиям
    • Минусы:
      • Необходимость использования дополнительных защитных устройств для обеспечения надежной работы
      • Высокие требования к условиям эксплуатации
    • Общее назначение:
      • Контроль и управление электрическими цепями
      • Передача и усиление сигналов
      • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Промышленное оборудование
      • Электронные устройства с высоким напряжением
      • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RGT50TS65DGC13

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    48 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    75 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 25A
  • Рассеивание мощности
    174 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    49 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    27ns/88ns
  • Условие испытаний
    400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    58 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247G

Техническая документация

 RGT50TS65DGC13.pdf
pdf. 0 kb
  • 600 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 914 ₽
  • 10
    1 343 ₽
  • 100
    1 002 ₽
  • 600
    910 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGT50TS65DGC13
  • Описание:
    Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650Все характеристики

Минимальная цена RGT50TS65DGC13 при покупке от 1 шт 1914.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT50TS65DGC13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT50TS65DGC13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: RGT50TS65DGC13
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: Транзистор
      • 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE: 5 мкС
      • Номинальное напряжение блокировки: 650 В
    • Плюсы:
      • Высокая способность переносить короткое замыкание (5 мкС)
      • Высокое номинальное напряжение блокировки (650 В)
      • Устойчивость к внешним воздействиям
    • Минусы:
      • Необходимость использования дополнительных защитных устройств для обеспечения надежной работы
      • Высокие требования к условиям эксплуатации
    • Общее назначение:
      • Контроль и управление электрическими цепями
      • Передача и усиление сигналов
      • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Промышленное оборудование
      • Электронные устройства с высоким напряжением
      • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RGT50TS65DGC13

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    48 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    75 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 25A
  • Рассеивание мощности
    174 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    49 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    27ns/88ns
  • Условие испытаний
    400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    58 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247G

Техническая документация

 RGT50TS65DGC13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RJP63F3ADPP-B1#T2FТранзистор: N CH IGBT
    448Кешбэк 67 баллов
    RJH60T3DPK-M0#T2Транзистор: IGBT
    389Кешбэк 58 баллов
    RJP65T43DPQ-A0#T2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
    1 675Кешбэк 251 балл
    RJP43F4ADPP-MB#T2FТранзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV
    524Кешбэк 78 баллов
    RJP63F3DPP-Z0#T2Транзистор: N CH IGBT
    534Кешбэк 80 баллов
    RJH65T14DPQ-A0#T0Транзистор: IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
    2 471Кешбэк 370 баллов
    RJH60T04DPQ-A1#T0Транзистор: IGBT TRENCH 600V 60A TO247A
    2 079Кешбэк 311 баллов
    RJH6075DPM-N0#T0Транзистор: IGBT
    771Кешбэк 115 баллов
    RJH65T46DPQ-A0#T0Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
    2 746Кешбэк 411 баллов
    ISL9V5045S3ST-F085IGBT 480V 51A 300W D2PAK
    921Кешбэк 138 баллов
    FGB3245G2-F085ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT
    723Кешбэк 108 баллов
    FGH40T120SMD-F155IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
    1 851Кешбэк 277 баллов
    FGY120T65SPD-F085IGBT 650V 240A 882W TO-247
    3 012Кешбэк 451 балл
    DGTD120T40S1PTТранзистор: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
    1 956Кешбэк 293 балла
    IXYK140N120A4Транзистор: IGBT 140A 1200V TO264
    8 148Кешбэк 1 222 балла
    IXYX30N170CV1Транзистор: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
    6 184Кешбэк 927 баллов
    IXYH85N120A4Транзистор: IGBT GENX4 1200V 85A TO247
    3 544Кешбэк 531 балл
    IXYX110N120B4Транзистор: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT PLUS247
    4 374Кешбэк 656 баллов
    IXYH16N170CТранзистор: IGBT 1.7KV 40A TO247
    2 103Кешбэк 315 баллов
    IXYA20N120A4HVТранзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
    1 304Кешбэк 195 баллов
    IXYA30N120A4HVТранзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
    1 641Кешбэк 246 баллов
    IXYX50N170CТранзистор: IGBT 1700V 178A PLUS247
    5 588Кешбэк 838 баллов
    IXGA48N60A3-TRLТранзистор: IXGA48N60A3 TRL
    1 089Кешбэк 163 балла
    IXYH25N250CHVТранзистор: IGBT 2500V 235A TO-247HV
    6 186Кешбэк 927 баллов
    IXGT32N170-TRLТранзистор: IGBT 1700V 75A 350W TO268
    5 584Кешбэк 837 баллов
    IXYT85N120A4HVТранзистор: IGBT GENX4 1200V 85A TO268HV
    3 841Кешбэк 576 баллов
    IXYN30N170CV1Транзистор: 1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT
    9 882Кешбэк 1 482 балла
    IXYH10N170CV1Транзистор: IGBT 1.7KV 36A TO247
    2 675Кешбэк 401 балл
    IXYA20N120C4HVТранзистор: IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2
    1 801Кешбэк 270 баллов
    IXYH30N170CТранзистор: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
    3 715Кешбэк 557 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП