RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11 — это транзистор из серии полевых транзисторов с низким напряжением включения (MOSFET) производства Rohm Semiconductor. Он предназначен для широкого спектра применений благодаря своим характеристикам.

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение питания (V_DS(on)): 65 В
• Максимальный ток нагрузки (I_D): 80 А
• Минимальное напряжение включения (V_GS(th)): 2.0 В
• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология производства: SiC (silicon carbide)

• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком напряжении включения
• Низкий коэффициент тепловыделения
• Стоимость доступная
• Устойчивость к перенапряжению

• Минусы:
• Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
• Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного буферного транзистора

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как преобразователи напряжения, инверторы, преобразователи частоты и амплитуды, а также в системах управления двигателем.

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Преобразователи напряжения для бытовой техники
• Инверторы для солнечных батарей
• Преобразователи частоты и амплитуды
• Системы управления двигателем