RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9 — это тип транзистора IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Rohm Semiconductor. IGBT — это комбинированный тип транзистора, который объединяет преимущества MOSFET и биполярного транзистора.

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение блокировки (V_CEO): 650 В
• Максимальный ток проводимости (I_TO): 8 А
• Максимальная частота работы: до 12 кГц
• Коэффициент сопротивления при проводимости (R_ON): 1,3 Ω

• Плюсы IGBT:
• Высокая эффективность при работе в средних и больших токах
• Малое напряжениепри включении (V_GS(th))
• Высокая скорость переключения
• Меньшая тепловая нагрузка по сравнению с MOSFET

• Минусы IGBT:
• Высокие потери при низких частотах
• Необходимость использования дополнительной обвязки для защиты от обратного напряжения
• Большой размер по сравнению с MOSFET

Общее назначение IGBT: Используются для управления токами в различных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность. Это включает в себя промышленное оборудование, автомобили (системы управления двигателем), солнечные панели, инверторы и приводы.

• В каких устройствах применяются:
• Промышленные преобразователи напряжения и частоты
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы питания солнечных панелей
• Инверторы для электростанций
• Приводы и промышленное оборудование