Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGTH00TS65DGC13
  • В избранное
  • В сравнение
RGTH00TS65DGC13

RGTH00TS65DGC13

RGTH00TS65DGC13
;
RGTH00TS65DGC13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH00TS65DGC13
  • Описание:
    Транзистор: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650VВсе характеристики

Минимальная цена RGTH00TS65DGC13 при покупке от 1 шт 1423.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH00TS65DGC13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH00TS65DGC13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: RGTH00TS65DGC13
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE
      • Номинальное напряжение: 650В
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Устойчивость к высоким напряжениям
      • Экономичность при работе
      • Малый размер
    • Минусы:
      • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют точной настройки и управления
    • Общее назначение:
      • Используется для управляющего тока в различных электронных устройствах
      • Подходит для высокочастотных приложений
      • Пригоден для использования в системах управления мощностью
    • В каких устройствах применяется:
      • Мощные источники питания
      • Инверторы
      • Приводы двигателей
      • Автомобильные системы
      • Инверторные системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH00TS65DGC13

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    85 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    277 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    94 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    39ns/143ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    54 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247G

Техническая документация

 RGTH00TS65DGC13.pdf
pdf. 0 kb
  • 562 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 423 ₽
  • 10
    971 ₽
  • 100
    711 ₽
  • 600
    606 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH00TS65DGC13
  • Описание:
    Транзистор: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650VВсе характеристики

Минимальная цена RGTH00TS65DGC13 при покупке от 1 шт 1423.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH00TS65DGC13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH00TS65DGC13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: RGTH00TS65DGC13
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE
      • Номинальное напряжение: 650В
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Устойчивость к высоким напряжениям
      • Экономичность при работе
      • Малый размер
    • Минусы:
      • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют точной настройки и управления
    • Общее назначение:
      • Используется для управляющего тока в различных электронных устройствах
      • Подходит для высокочастотных приложений
      • Пригоден для использования в системах управления мощностью
    • В каких устройствах применяется:
      • Мощные источники питания
      • Инверторы
      • Приводы двигателей
      • Автомобильные системы
      • Инверторные системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH00TS65DGC13

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    85 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    277 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    94 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    39ns/143ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    54 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247G

Техническая документация

 RGTH00TS65DGC13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGS30TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 606Кешбэк 240 баллов
    RGTVX6TS65GC11Транзистор: 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 478Кешбэк 221 балл
    RGW50TS65DGC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    615Кешбэк 92 балла
    RGC80TSX8RGC11Транзистор: IGBT
    1 940Кешбэк 291 балл
    RGTV00TK65DGC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 617Кешбэк 242 балла
    RGW00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 367Кешбэк 205 баллов
    RGW50TS65GC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 030Кешбэк 154 балла
    RGTV60TK65DGVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 136Кешбэк 170 баллов
    RGTH80TK65GC11Транзистор: IGBT
    667Кешбэк 100 баллов
    RGCL80TK60GC11Транзистор: IGBT
    1 130Кешбэк 169 баллов
    RGW80TK65GVC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    673Кешбэк 100 баллов
    RGTH80TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 167Кешбэк 175 баллов
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    674Кешбэк 101 балл
    RGW60TK65DGVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 215Кешбэк 182 балла
    RGW60TS65DGC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 060Кешбэк 159 баллов
    RGTH00TK65DGC11Транзистор: IGBT
    786Кешбэк 117 баллов
    RGTH50TK65GC11Транзистор: IGBT
    613Кешбэк 91 балл
    RGW60TK65GVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 123Кешбэк 168 баллов
    RGTH50TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 271Кешбэк 190 баллов
    RGTH40TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 221Кешбэк 183 балла
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    597Кешбэк 89 баллов
    RGS00TS65HRC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    1 152Кешбэк 172 балла
    RGTVX6TS65DGC11Транзистор: IGBT
    1 869Кешбэк 280 баллов
    RGTH60TK65GC11Транзистор: IGBT
    1 089Кешбэк 163 балла
    RGW00TK65DGVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 538Кешбэк 230 баллов
    RGS60TS65DHRC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    1 464Кешбэк 219 баллов
    RGS50TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 716Кешбэк 257 баллов
    RGTH60TK65DGC11Транзистор: IGBT
    689Кешбэк 103 балла
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT
    528Кешбэк 79 баллов
    RGSX5TS65EHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    2 184Кешбэк 327 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП