Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGTH00TS65DGC13
  • В избранное
  • В сравнение
RGTH00TS65DGC13

RGTH00TS65DGC13

RGTH00TS65DGC13
;
RGTH00TS65DGC13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH00TS65DGC13
  • Описание:
    Транзистор: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650VВсе характеристики

Минимальная цена RGTH00TS65DGC13 при покупке от 1 шт 1423.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH00TS65DGC13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH00TS65DGC13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: RGTH00TS65DGC13
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE
      • Номинальное напряжение: 650В
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Устойчивость к высоким напряжениям
      • Экономичность при работе
      • Малый размер
    • Минусы:
      • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют точной настройки и управления
    • Общее назначение:
      • Используется для управляющего тока в различных электронных устройствах
      • Подходит для высокочастотных приложений
      • Пригоден для использования в системах управления мощностью
    • В каких устройствах применяется:
      • Мощные источники питания
      • Инверторы
      • Приводы двигателей
      • Автомобильные системы
      • Инверторные системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH00TS65DGC13

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    85 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    277 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    94 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    39ns/143ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    54 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247G

Техническая документация

 RGTH00TS65DGC13.pdf
pdf. 0 kb
  • 562 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 423 ₽
  • 10
    971 ₽
  • 100
    711 ₽
  • 600
    606 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH00TS65DGC13
  • Описание:
    Транзистор: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650VВсе характеристики

Минимальная цена RGTH00TS65DGC13 при покупке от 1 шт 1423.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH00TS65DGC13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH00TS65DGC13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: RGTH00TS65DGC13
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE
      • Номинальное напряжение: 650В
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Устойчивость к высоким напряжениям
      • Экономичность при работе
      • Малый размер
    • Минусы:
      • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют точной настройки и управления
    • Общее назначение:
      • Используется для управляющего тока в различных электронных устройствах
      • Подходит для высокочастотных приложений
      • Пригоден для использования в системах управления мощностью
    • В каких устройствах применяется:
      • Мощные источники питания
      • Инверторы
      • Приводы двигателей
      • Автомобильные системы
      • Инверторные системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH00TS65DGC13

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    85 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    277 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    94 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    39ns/143ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    54 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247G

Техническая документация

 RGTH00TS65DGC13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ISL9V3040S3ST-F085CТранзистор: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
    650Кешбэк 97 баллов
    FGHL75T65MQDТранзистор: IGBT 650V 75A TO247
    1 352Кешбэк 202 балла
    AFGHL75T65SQТранзистор: IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    FGH75T65SQDNL4Транзистор: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
    1 762Кешбэк 264 балла
    AFGY100T65SPDТранзистор: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
    2 308Кешбэк 346 баллов
    AFGHL75T65SQDCТранзистор: IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT
    2 103Кешбэк 315 баллов
    FGH75T65UPD-F085IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
    1 860Кешбэк 279 баллов
    AFGHL50T65SQТранзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
    993Кешбэк 148 баллов
    FGH60T65SQD-F155Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3
    1 178Кешбэк 176 баллов
    FGH75T65SQDTL4Транзистор: 650V FS4 TRENCH IGBT
    1 401Кешбэк 210 баллов
    FGI3040G2-F085IGBT, 41A, 390V, N-CHANNEL
    828Кешбэк 124 балла
    AFGY120T65SPDТранзистор: IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
    2 618Кешбэк 392 балла
    FGHL50T65SQТранзистор: FS4TIGBT TO247 50A 650V
    878Кешбэк 131 балл
    FGH75T65SHDT-F155IGBT 650V 150A 455W TO-247
    1 315Кешбэк 197 баллов
    AFGY160T65SPD-B4Транзистор: IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE
    2 434Кешбэк 365 баллов
    FGH40T120SQDNL4Транзистор: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
    1 855Кешбэк 278 баллов
    FGHL50T65SQDTТранзистор: IGBT, 650 V, 50 A FIELD STOP TRE
    1 091Кешбэк 163 балла
    FGY75T95LQDTТранзистор: IGBT 950V 75A
    1 332Кешбэк 199 баллов
    NGTB25N120FL3WGТранзистор: IGBT 1200V 100A TO247
    1 406Кешбэк 210 баллов
    FGH40T65SQD-F155Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
    937Кешбэк 140 баллов
    FGHL75T65MQDTТранзистор: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
    1 330Кешбэк 199 баллов
    FGD2736G3-F085Транзистор: ECOSPARK3 IGN-IGBT TO252
    454Кешбэк 68 баллов
    NGTB40N65IHRTGТранзистор: IGBT 650V 40A
    572Кешбэк 85 баллов
    FGY160T65SPD-F085Транзистор: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
    2 814Кешбэк 422 балла
    FGY60T120SQDNТранзистор: IGBT 1200V 60A UFS
    2 066Кешбэк 309 баллов
    FGY75T120SQDNТранзистор: IGBT 1200V 75A UFS
    1 875Кешбэк 281 балл
    RGS80TS65DHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 708Кешбэк 256 баллов
    RGT16BM65DTLТранзистор: IGBT
    541Кешбэк 81 балл
    RGPZ10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    543Кешбэк 81 балл
    RGT30TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    326Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП