Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RGTH60TK65DGC11

RGTH60TK65DGC11

RGTH60TK65DGC11
;
RGTH60TK65DGC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RGTH60TK65DGC11 при покупке от 1 шт 689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH60TK65DGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH60TK65DGC11

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(on))
    • Максимальный ток коллектора (IC(max))
    • Максимальная частота работы (fmax)
    • Максимальная температура рабоча (Tcase(max))
  • Плюсы:
    • Высокий КПД
    • Низкий коэффициент включения
    • Простота управления
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Меньшая скорость включения по сравнению с MOSFET
    • Высокие потери при транзитном состоянии
    • Требуется теплоотвод
  • Общее назначение:
    • Регулирование мощности в электропитании
    • Контроль скорости вращения электродвигателей
    • Переключение высоковольтных нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные приводы
    • Системы управления двигателем
    • Энергосберегающие устройства
    • Инверторы для солнечных панелей
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH60TK65DGC11

Техническая документация

RGTH60TK65DGC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 403 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    689 ₽
  • 30
    377 ₽
  • 120
    308 ₽
  • 510
    257 ₽
  • 1020
    239 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RGTH60TK65DGC11 при покупке от 1 шт 689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH60TK65DGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH60TK65DGC11

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(on))
    • Максимальный ток коллектора (IC(max))
    • Максимальная частота работы (fmax)
    • Максимальная температура рабоча (Tcase(max))
  • Плюсы:
    • Высокий КПД
    • Низкий коэффициент включения
    • Простота управления
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Меньшая скорость включения по сравнению с MOSFET
    • Высокие потери при транзитном состоянии
    • Требуется теплоотвод
  • Общее назначение:
    • Регулирование мощности в электропитании
    • Контроль скорости вращения электродвигателей
    • Переключение высоковольтных нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные приводы
    • Системы управления двигателем
    • Энергосберегающие устройства
    • Инверторы для солнечных панелей
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH60TK65DGC11

Техническая документация

RGTH60TK65DGC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории