Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGTH60TK65GC11
RGTH60TK65GC11

RGTH60TK65GC11

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH60TK65GC11
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGTH60TK65GC11 при покупке от 1 шт 1248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH60TK65GC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RGTH60TK65GC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    28 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    61 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    58 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    27ns/105ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PFM
  • Base Product Number
    RGTH60
Техническая документация
 RGTH60TK65GC11.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 307 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 248 ₽
  • 30
    713 ₽
  • 120
    595 ₽
  • 510
    509 ₽
  • 1020
    500 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH60TK65GC11
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGTH60TK65GC11 при покупке от 1 шт 1248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH60TK65GC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RGTH60TK65GC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    28 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    61 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    58 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    27ns/105ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PFM
  • Base Product Number
    RGTH60
Техническая документация
 RGTH60TK65GC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXYX110N120C4Транзистор: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT PLUS247
    FGPF4533Транзистор: IGBT
    FGD3040G2-F085VТранзистор: ECOSPARK2 300MJ 400V N-
    HGTP10N50E1DТранзистор: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    HGT1S7N60C3DТранзистор: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
    IKY75N120CH3XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 150A TO247-4
    RGT8NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    FGH75T65SQDTL4Транзистор: 650V FS4 TRENCH IGBT
    IGW20N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    APT20GF120BRDGТранзистор: IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247
    AIKB15N65DF5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    RGS50TSX2HRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    AFGHL50T65SQТранзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
    IGTP10N40AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    HGT1S12N60C3DSТранзистор: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
    IKP39N65ES5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 39A TO220-3
    IXYX140N120A4Транзистор: IGBT 140A 1200V PLUS247
    IXYK110N120A4Транзистор: IGBT 1200V 110A GENX4 XPT TO-264
    SGB8206NSL3GТранзистор: IGBT D2PAK 350V 20A
    AIGB15N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    IKW40N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
    FGH75T65SQDNL4Транзистор: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
    IKZA75N65SS5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    RGTV80TS65DGC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    IXYX25N250CV1HVТранзистор: IGBT 2500V 235A PLUS247
    AFGY120T65SPDТранзистор: IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
    RGW60TK65DGVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    IKW50N120CS7XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
    STGF20H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП