Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
RGTH60TS65GC11
  • В избранное
  • В сравнение
RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11
;
RGTH60TS65GC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH60TS65GC11
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 58A 197W TO-247NВсе характеристики

Минимальная цена RGTH60TS65GC11 при покупке от 1 шт 878.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH60TS65GC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11 ROHM Semiconductor Транзистор: IGBT 650В 58А 197Вт TO-247N

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 650В
    • Рейтингный ток (ICEO): 58А
    • Рейтингная мощность (PON): 197Вт
    • Форма корпуса: TO-247N
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкое значение насыщенного сопротивления
    • Устойчивость к обратным напряжениям
    • Высокая скорость переключения
    • Экономичность в работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Большой размер корпуса по сравнению с другими типами транзисторов
    • Наличие задержки при переключении
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных устройствах
    • Применение в инверторах для преобразования переменного тока в постоянный и наоборот
    • Работа в системах управления двигателем
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для домашнего использования
    • Системы управления промышленными двигателями
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH60TS65GC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    58 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    197 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    58 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    27ns/105ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Base Product Number
    RGTH60

Техническая документация

 RGTH60TS65GC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 212 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    878 ₽
  • 10
    571 ₽
  • 100
    446 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGTH60TS65GC11
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 58A 197W TO-247NВсе характеристики

Минимальная цена RGTH60TS65GC11 при покупке от 1 шт 878.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGTH60TS65GC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11 ROHM Semiconductor Транзистор: IGBT 650В 58А 197Вт TO-247N

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 650В
    • Рейтингный ток (ICEO): 58А
    • Рейтингная мощность (PON): 197Вт
    • Форма корпуса: TO-247N
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкое значение насыщенного сопротивления
    • Устойчивость к обратным напряжениям
    • Высокая скорость переключения
    • Экономичность в работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Большой размер корпуса по сравнению с другими типами транзисторов
    • Наличие задержки при переключении
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных устройствах
    • Применение в инверторах для преобразования переменного тока в постоянный и наоборот
    • Работа в системах управления двигателем
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для домашнего использования
    • Системы управления промышленными двигателями
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики RGTH60TS65GC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    58 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    197 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    58 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    27ns/105ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Base Product Number
    RGTH60

Техническая документация

 RGTH60TS65GC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKP08N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
    387Кешбэк 58 баллов
    AUIRGSL4062D1Транзистор: IGBT 600V 59A 246W TO-262
    954Кешбэк 143 балла
    IKW60N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    1 117Кешбэк 167 баллов
    IHW20N120R5XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 40A TO247-3
    611Кешбэк 91 балл
    TIG052TS-TL-EТранзистор: IGBT 400V 8TSSOP
    313Кешбэк 46 баллов
    NGTB10N60R2DT4GТранзистор: IGBT 600V 20A DPAK
    117Кешбэк 17 баллов
    NGTB40N60IHLWGТранзистор: IGBT 600V 40A TO247
    515Кешбэк 77 баллов
    SGH40N60UFDTUТранзистор: IGBT 600V 40A 160W TO3P
    489Кешбэк 73 балла
    NGTB20N120IHWGТранзистор: IGBT 20A 1200V TO-247
    506Кешбэк 75 баллов
    NGTB40N135IHRWGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 1350V 80A TO247
    786Кешбэк 117 баллов
    NGD8205NT4GТранзистор: IGBT 390V 20A 125W DPAK
    230Кешбэк 34 балла
    NGTB20N135IHRWGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247
    584Кешбэк 87 баллов
    NGB8206ANT4GТранзистор: IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
    196Кешбэк 29 баллов
    NGTB30N135IHRWGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247
    617Кешбэк 92 балла
    NGB8207ANT4GТранзистор: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
    333Кешбэк 49 баллов
    NGTB10N60FGТранзистор: IGBT 600V 10A TO220F3
    141Кешбэк 21 балл
    SGP10N60RUFDTUТранзистор: IGBT 600V 16A TO220-3
    200Кешбэк 30 баллов
    NGTB15N120IHRWGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
    426Кешбэк 63 балла
    NGTB05N60R2DT4GТранзистор: IGBT 5A 600V DPAK
    85Кешбэк 12 баллов
    NGTB45N60S1WGТранзистор: IGBT 45A 600V TO-247
    361Кешбэк 54 балла
    NGTB50N60FWGТранзистор: IGBT 600V 100A 223W TO247
    723Кешбэк 108 баллов
    NGTB40N65IHL2WGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
    554Кешбэк 83 балла
    HGTG10N120BNDТранзистор: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
    932Кешбэк 139 баллов
    NGD8205ANT4GТранзистор: IGBT 390V 20A DPAK
    217Кешбэк 32 балла
    NGTB30N60FWGТранзистор: IGBT 600V 60A 167W TO247
    563Кешбэк 84 балла
    NGTB45N60S2WGТранзистор: IGBT 45A 600V TO-247
    480Кешбэк 72 балла
    NGTB30N60IHLWGТранзистор: IGBT 600V 30A TO247
    493Кешбэк 73 балла
    FGH40N60SFTUТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    369Кешбэк 55 баллов
    NGTB30N120IHSWGТранзистор: IGBT 1200V 30A TO247
    413Кешбэк 61 балл
    FGB40N60SMТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK
    293Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП