Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGW60TK65GVC11
  • В избранное
  • В сравнение
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11
;
RGW60TK65GVC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGW60TK65GVC11
  • Описание:
    Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGW60TK65GVC11 при покупке от 1 шт 1123.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGW60TK65GVC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11 ROHM Semiconductor Транзистор: 650В 30А FIELD STOP TRENCH IGBT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 30А
    • Тип: FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и легкость
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требуется специальное оборудование для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах
    • Работа в промышленной электронике
    • Применение в системах управления двигателем
    • Использование в солнечных батареях и системах энергоснабжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная промышленность
    • Промышленное оборудование
    • Энергетические системы
    • Системы управления двигателей
    • Солнечные системы энергопитания
Выбрано: Показать

Характеристики RGW60TK65GVC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    33 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    72 W
  • Энергия переключения
    480µJ (on), 490µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    84 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    37ns/114ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PFM
  • Base Product Number
    RGW60

Техническая документация

 RGW60TK65GVC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 446 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 123 ₽
  • 10
    645 ₽
  • 100
    554 ₽
  • 450
    493 ₽
  • 900
    485 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGW60TK65GVC11
  • Описание:
    Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGW60TK65GVC11 при покупке от 1 шт 1123.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGW60TK65GVC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11 ROHM Semiconductor Транзистор: 650В 30А FIELD STOP TRENCH IGBT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 30А
    • Тип: FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и легкость
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требуется специальное оборудование для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах
    • Работа в промышленной электронике
    • Применение в системах управления двигателем
    • Использование в солнечных батареях и системах энергоснабжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная промышленность
    • Промышленное оборудование
    • Энергетические системы
    • Системы управления двигателей
    • Солнечные системы энергопитания
Выбрано: Показать

Характеристики RGW60TK65GVC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    33 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    72 W
  • Энергия переключения
    480µJ (on), 490µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    84 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    37ns/114ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PFM
  • Base Product Number
    RGW60

Техническая документация

 RGW60TK65GVC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HGTP10N50E1Транзистор: 10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    445Кешбэк 66 баллов
    HGTG24N60D1DТранзистор: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
    1 821Кешбэк 273 балла
    HGTP15N50C1Транзистор: 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    760Кешбэк 114 баллов
    HGTP3N60C3Транзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    141Кешбэк 21 балл
    HGTG20N60C3RТранзистор: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
    430Кешбэк 64 балла
    HGTP10N50E1DТранзистор: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    661Кешбэк 99 баллов
    HGT1S15N120C3Транзистор: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
    704Кешбэк 105 баллов
    HGTG20N50C1DТранзистор: 26A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    1 341Кешбэк 201 балл
    HGTG32N60E2Транзистор: 50A, 600V N-CHANNEL IGBT
    1 391Кешбэк 208 баллов
    HGTP12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    343Кешбэк 51 балл
    HGT1S12N60C3DТранзистор: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    300Кешбэк 45 баллов
    HGT1S12N60C3S9AR4501Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    276Кешбэк 41 балл
    HGTP3N60B3Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    141Кешбэк 21 балл
    HGTP15N50E1Транзистор: 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    350Кешбэк 52 балла
    HGTP10N40C1Транзистор: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    317Кешбэк 47 баллов
    HGT1S12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    295Кешбэк 44 балла
    IGTP10N40AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    235Кешбэк 35 баллов
    HGTG34N100E2Транзистор: 55A, 1000V N-CHANNEL IGBT
    1 432Кешбэк 214 баллов
    HGTP20N35F3VLТранзистор: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
    406Кешбэк 60 баллов
    HGTG30N60C3Транзистор: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    426Кешбэк 63 балла
    HGTP6N40E1DТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    193Кешбэк 28 баллов
    IGTP10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    230Кешбэк 34 балла
    HGT1S12N60B3Транзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    308Кешбэк 46 баллов
    HGT1S12N60C3Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    270Кешбэк 40 баллов
    HGTP10N40F1DТранзистор: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    259Кешбэк 38 баллов
    HGT1S20N35F3VLR4505Транзистор: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT
    308Кешбэк 46 баллов
    HGTP20N35F3ULR3935Транзистор: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
    406Кешбэк 60 баллов
    HGTP3N60B3R4724Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    141Кешбэк 21 балл
    HGTP6N40EIDТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    193Кешбэк 28 баллов
    IGTM10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    332Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП