Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RJ1L12BGNTLL
  • В избранное
  • В сравнение
RJ1L12BGNTLL

RJ1L12BGNTLL

RJ1L12BGNTLL
;
RJ1L12BGNTLL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RJ1L12BGNTLL
  • Описание:
    NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1LВсе характеристики

Минимальная цена RJ1L12BGNTLL при покупке от 1 шт 1212.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJ1L12BGNTLL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJ1L12BGNTLL

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • NCH 60V 120A POWER MOSFET
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Маркировка: RJ1L12BGNTLL
    • Плюсы:
      • Высокая токопроводность (120A)
      • Высокое напряжение срабатывания (60В)
      • Низкое значение Rds(on)
      • Устойчивость к перегреву
      • Малый размер и легкость для интеграции в различные устройства
    • Минусы:
      • Требует дополнительных компонентов для защиты (например, шоттки-диод)
      • Могут возникать проблемы при работе при очень высоких частотах из-за емкости гейта
    • Общее назначение:
      • Используется для управления током в электронных устройствах
      • Подходит для применения в системах питания, преобразователях мощности, инверторах и др.
    • В каких устройствах применяется:
      • Переносные зарядные устройства
      • Автомобильные адаптеры
      • Мощные инверторы
      • Системы управления двигателем
      • Преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики RJ1L12BGNTLL

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.9mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9000 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    192W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AB
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 RJ1L12BGNTLL.pdf
pdf. 0 kb
  • 1782 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 212 ₽
  • 10
    949 ₽
  • 100
    776 ₽
  • 500
    752 ₽
  • 1000
    658 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RJ1L12BGNTLL
  • Описание:
    NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1LВсе характеристики

Минимальная цена RJ1L12BGNTLL при покупке от 1 шт 1212.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJ1L12BGNTLL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJ1L12BGNTLL

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • NCH 60V 120A POWER MOSFET
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Маркировка: RJ1L12BGNTLL
    • Плюсы:
      • Высокая токопроводность (120A)
      • Высокое напряжение срабатывания (60В)
      • Низкое значение Rds(on)
      • Устойчивость к перегреву
      • Малый размер и легкость для интеграции в различные устройства
    • Минусы:
      • Требует дополнительных компонентов для защиты (например, шоттки-диод)
      • Могут возникать проблемы при работе при очень высоких частотах из-за емкости гейта
    • Общее назначение:
      • Используется для управления током в электронных устройствах
      • Подходит для применения в системах питания, преобразователях мощности, инверторах и др.
    • В каких устройствах применяется:
      • Переносные зарядные устройства
      • Автомобильные адаптеры
      • Мощные инверторы
      • Системы управления двигателем
      • Преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики RJ1L12BGNTLL

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.9mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9000 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    192W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AB
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 RJ1L12BGNTLL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3113-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3635-Z-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3433-ZJ-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3221-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E2-AT9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK2084L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    HAT1038RJ-ELP-CHANNEL POWER MOSFET
    332Кешбэк 49 баллов
    UPA2792GR(0)-E1-AZSWITCHING N AND P TRANSISTORS
    333Кешбэк 49 баллов
    2SK3712-Z-E1-AZMOSFET N-CH 250V 9A TO252
    335Кешбэк 50 баллов
    2SJ350P-CHANNEL POWER MOSFET
    339Кешбэк 50 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-02#J0POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-WS#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0230DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    UPA2802T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0393DPA-0G#J7APOWER TRANSISTOR, MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0226DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    2SK1093-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    NP48N055MHE-S18-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП