RJH6075DPM-N0#T0

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Основные параметры:
• Максимальное напряжениеcollector-emitter (V_CEO)
• Максимальный ток collector (I_CM)
• Максимальная частота работы (f_max)
• Максимальное тепловыделение (P_D)
• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе с переменным током
• Низкое значение тока срабатывания (гейт-сигнал)
• Высокая скорость переключения
• Высокая надежность и долговечность
• Наличие интегрированного гейт-резистора
• Минусы:
• Высокие потери при работе в области малых токов
• Зависимость характеристик от температуры
• Сложность проектирования системы охлаждения
• Общее назначение:
• Контроль мощности в электронных устройствах
• Переключение тока в силовых системах
• Инверторы напряжения
• Системы управления двигателем
• Энергосберегающие устройства
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные инверторы
• Солнечные панели и системы хранения энергии
• Мощные источники питания
• Устройства преобразования напряжения