Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
RJH60A83RDPN-E0T2
  • В избранное
  • В сравнение
RJH60A83RDPN-E0#T2

RJH60A83RDPN-E0#T2

RJH60A83RDPN-E0#T2
;
RJH60A83RDPN-E0#T2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJH60A83RDPN-E0T2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 20A TO-220ABВсе характеристики

Минимальная цена RJH60A83RDPN-E0#T2 при покупке от 1 шт 565.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJH60A83RDPN-E0#T2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJH60A83RDPN-E0#T2

RJH60A83RDPN-E0T2 — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 600В и 20А, упаковкой TO-220AB от компании Renesas Electronics Corporation.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 600В
    • Номинальный ток нагрузки (Imax): 20А
    • Упаковка: TO-220AB
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность и надежность
    • Малый динамический вольт-амперный коэффициент
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительная термическая защита
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления приводами
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах преобразования энергии
    • Трансформация переменного тока в постоянный
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы
    • Источники питания для бытовой техники
    • Системы управления электроплитами и вытяжками
Выбрано: Показать

Характеристики RJH60A83RDPN-E0#T2

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Тип входа
    Standard
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Base Product Number
    RJH60A

Техническая документация

 RJH60A83RDPN-E0#T2.pdf
pdf. 0 kb
  • 73 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    565 ₽
  • 10
    367 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJH60A83RDPN-E0T2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 20A TO-220ABВсе характеристики

Минимальная цена RJH60A83RDPN-E0#T2 при покупке от 1 шт 565.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJH60A83RDPN-E0#T2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJH60A83RDPN-E0#T2

RJH60A83RDPN-E0T2 — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 600В и 20А, упаковкой TO-220AB от компании Renesas Electronics Corporation.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 600В
    • Номинальный ток нагрузки (Imax): 20А
    • Упаковка: TO-220AB
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность и надежность
    • Малый динамический вольт-амперный коэффициент
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительная термическая защита
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления приводами
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах преобразования энергии
    • Трансформация переменного тока в постоянный
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы
    • Источники питания для бытовой техники
    • Системы управления электроплитами и вытяжками
Выбрано: Показать

Характеристики RJH60A83RDPN-E0#T2

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Тип входа
    Standard
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Base Product Number
    RJH60A

Техническая документация

 RJH60A83RDPN-E0#T2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT43GA90BТранзистор: IGBT 900V 78A 337W TO-247
    1 065Кешбэк 159 баллов
    APT54GA60BТранзистор: IGBT 600V 96A 416W TO-247
    1 075Кешбэк 161 балл
    APT35GN120L2DQ2GТранзистор: IGBT 1200V 94A 379W TO264
    1 997Кешбэк 299 баллов
    APT25GP120BGТранзистор: IGBT 1200V 69A 417W TO247
    1 979Кешбэк 296 баллов
    APT13GP120BGТранзистор: IGBT 1200V 41A 250W TO247
    1 141Кешбэк 171 балл
    APT80GA90BТранзистор: IGBT 900V 145A 625W TO247
    1 836Кешбэк 275 баллов
    APT95GR65B2Транзистор: IGBT 650V 208A 892W T-MAX
    1 506Кешбэк 225 баллов
    APT25GP90BGТранзистор: IGBT 900V 72A 417W TO247
    1 645Кешбэк 246 баллов
    APT36GA60BТранзистор: IGBT 600V 65A 290W TO-247
    810Кешбэк 121 балл
    APT80GA90LD40Транзистор: IGBT 900V 145A 625W TO-264
    2 462Кешбэк 369 баллов
    APT35GP120BGТранзистор: IGBT 1200V 96A 543W TO247
    2 909Кешбэк 436 баллов
    APT50GN120L2DQ2GТранзистор: IGBT 1200V 134A 543W TO264
    3 324Кешбэк 498 баллов
    APT40GR120BТранзистор: IGBT 1200V 88A 500W TO247
    1 251Кешбэк 187 баллов
    APT45GP120B2DQ2GТранзистор: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
    3 811Кешбэк 571 балл
    APT15GN120BDQ1GТранзистор: IGBT 1200V 45A 195W TO247
    1 275Кешбэк 191 балл
    APT35GA90BТранзистор: IGBT 900V 63A 290W TO-247
    895Кешбэк 134 балла
    APT85GR120B2Транзистор: IGBT 1200V 170A 962W TO247
    2 620Кешбэк 393 балла
    APT100GN120B2GТранзистор: IGBT 1200V 245A 960W TMAX
    5 458Кешбэк 818 баллов
    APT50GP60B2DQ2GТранзистор: IGBT 600V 150A 625W TMAX
    2 670Кешбэк 400 баллов
    APT45GP120BGТранзистор: IGBT 1200V 100A 625W TO247
    3 320Кешбэк 498 баллов
    APT13GP120BDQ1GТранзистор: IGBT 1200V 41A 250W TO247
    1 289Кешбэк 193 балла
    APT100GN60LDQ4GТранзистор: IGBT 600V 229A 625W TO264
    2 770Кешбэк 415 баллов
    APT35GP120B2DQ2GТранзистор: IGBT 1200V 96A 543W TMAX
    3 605Кешбэк 540 баллов
    APT50GR120LТранзистор: IGBT 1200V 117A 694W TO264
    1 784Кешбэк 267 баллов
    APT30GN60BDQ2GТранзистор: IGBT 600V 63A 203W TO247
    921Кешбэк 138 баллов
    APT65GP60L2DQ2GТранзистор: IGBT 600V 198A 833W TO264
    3 835Кешбэк 575 баллов
    APT30GN60BGТранзистор: IGBT 600V 63A 203W TO247
    698Кешбэк 104 балла
    APT33GF120B2RDQ2GТранзистор: IGBT 1200V 64A 357W TMAX
    3 370Кешбэк 505 баллов
    APT40GP90BGТранзистор: IGBT 900V 100A 543W TO247
    2 942Кешбэк 441 балл
    AUIRGDC0250Транзистор: IGBT 1200V 141A 543W TO-220
    2 971Кешбэк 445 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП