RJH60D3DPE-00#J3

RJH60D3DPE-00J3 Renesas Electronics Corporation — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с параметрами напряжения стакана 600 В и током 35 А в обмотке LDPAK.

• Основные параметры:
• Напряжение стакана: 600 В
• Ток в обмотке: 35 А
• Форм-фактор: LDPAK

• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Малый размер и легкий вес
• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к перегрузкам

• Минусы:
• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Сложность в выборе оптимальных условий работы

• Общее назначение:
• Использование в промышленной автоматике
• Применение в системах управления электродвигателями
• Работа в солнечных энергетических системах
• Использование в транспортных средствах для управления двигателем

Эти транзисторы широко используются в устройствах, требующих высокой эффективности и надежности при работе с высокими напряжениями и токами.