Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
RJH60M1DPE-00J3
  • В избранное
  • В сравнение
RJH60M1DPE-00#J3

RJH60M1DPE-00#J3

RJH60M1DPE-00#J3
;
RJH60M1DPE-00#J3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJH60M1DPE-00J3
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 16A 52W LDPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJH60M1DPE-00#J3 при покупке от 1 шт 550.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJH60M1DPE-00#J3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJH60M1DPE-00#J3

RJH60M1DPE-00J3 — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Он предназначен для применения в различных электротехнических системах и приборах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)) - 600В
    • Номинальный ток (ICE) - 16А
    • Номинальная мощность (PD) - 52Вт
    • Формат пакета - LDPAK
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Контроль потребления электроэнергии в бытовой технике
    • Приводы и системы управления двигателем
    • Системы регулирования напряжения и частоты
    • Автомобильные системы управления двигателем и зарядными устройствами

Этот транзистор широко используется в различных приборах и устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность работы.

Выбрано: Показать

Характеристики RJH60M1DPE-00#J3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    16 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 8A
  • Рассеивание мощности
    52 W
  • Энергия переключения
    80µJ (on), 90µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    20.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/55ns
  • Условие испытаний
    300V, 8A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-83
  • Исполнение корпуса
    LDPAK
  • Base Product Number
    RJH60M

Техническая документация

 RJH60M1DPE-00#J3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1987 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    550 ₽
  • 10
    357 ₽
  • 100
    247 ₽
  • 500
    199 ₽
  • 1000
    184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJH60M1DPE-00J3
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 16A 52W LDPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJH60M1DPE-00#J3 при покупке от 1 шт 550.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJH60M1DPE-00#J3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJH60M1DPE-00#J3

RJH60M1DPE-00J3 — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Он предназначен для применения в различных электротехнических системах и приборах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)) - 600В
    • Номинальный ток (ICE) - 16А
    • Номинальная мощность (PD) - 52Вт
    • Формат пакета - LDPAK
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Контроль потребления электроэнергии в бытовой технике
    • Приводы и системы управления двигателем
    • Системы регулирования напряжения и частоты
    • Автомобильные системы управления двигателем и зарядными устройствами

Этот транзистор широко используется в различных приборах и устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность работы.

Выбрано: Показать

Характеристики RJH60M1DPE-00#J3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    16 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 8A
  • Рассеивание мощности
    52 W
  • Энергия переключения
    80µJ (on), 90µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    20.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/55ns
  • Условие испытаний
    300V, 8A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-83
  • Исполнение корпуса
    LDPAK
  • Base Product Number
    RJH60M

Техническая документация

 RJH60M1DPE-00#J3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGP15H60DFТранзистор: IGBT 600V 30A 115W TO220
    448Кешбэк 67 баллов
    STGP19NC60SDТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    572Кешбэк 85 баллов
    STGB40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W D2PAK
    558Кешбэк 83 балла
    STGP10NB60SDТранзистор: IGBT 600V 29A 80W TO220
    543Кешбэк 81 балл
    STGB20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
    505Кешбэк 75 баллов
    STGP7NC60HТранзистор: IGBT 600V 25A 80W TO220
    233Кешбэк 34 балла
    STGWT20V60FТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO3PF
    668Кешбэк 100 баллов
    STGB7H60DFТранзистор: IGBT 600V 14A 88W D2PAK
    369Кешбэк 55 баллов
    STGB30H60DLFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    815Кешбэк 122 балла
    STGB20H60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
    517Кешбэк 77 баллов
    STGWA60V60DFТранзистор: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
    871Кешбэк 130 баллов
    STGWA25M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 50A 375W TO247
    971Кешбэк 145 баллов
    STGW25H120F2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
    1 301Кешбэк 195 баллов
    STGWA40H120F2Транзистор: IGBT BIPO 1200V 40A TO247-3
    1 375Кешбэк 206 баллов
    STGW80V60FТранзистор: IGBT 600V 120A 469W TO247
    1 838Кешбэк 275 баллов
    STGWA19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 52A 208W TO247
    732Кешбэк 109 баллов
    STGW30M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    487Кешбэк 73 балла
    STGWA60H65DFBТранзистор: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
    858Кешбэк 128 баллов
    STGW20H60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    563Кешбэк 84 балла
    STGWT30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO3PF
    704Кешбэк 105 баллов
    STGWA80H65FBТранзистор: IGBT 650V 120A 469W TO247
    1 134Кешбэк 170 баллов
    STGP10H60DFТранзистор: IGBT 600V 20A 115W TO220
    404Кешбэк 60 баллов
    STGB20NB41LZT4Транзистор: IGBT 442V 40A 200W D2PAK
    717Кешбэк 107 баллов
    STGFW40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    743Кешбэк 111 баллов
    STGWT30H60DFBТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO3PL
    494Кешбэк 74 балла
    STGW40M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 80A 468W TO-247
    1 180Кешбэк 177 баллов
    STGWF30NC60SТранзистор: IGBT 600V 35A 79W TO3P
    936Кешбэк 140 баллов
    STGWT20H65FBТранзистор: IGBT 650V 40A 168W TO3P
    628Кешбэк 94 балла
    STGWA15M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 30A 259W
    954Кешбэк 143 балла
    STGB19NC60KDT4Транзистор: IGBT 600V 35A 125W D2PAK
    1 126Кешбэк 168 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП