RJH60M2DPE-00#J3

RJH60M2DPE-00J3 Renesas Electronics Corporation ИGBT

• Основные параметры:
  • Рейтингный ток: 60 А
  • Рейтингное напряжение: 1200 В
  • Количество полупроводниковых слоев: 2D
  • Тип: Мощный IGBT
• Плюсы:
  • Высокая эффективность работы
  • Малый размер и вес
  • Долгий срок службы
  • Высокая надежность
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
  • Требуют дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
• Общее назначение:
  • Контроль мощности в промышленных системах
  • Переключение высоковольтных токов
  • Управление двигателем
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленные преобразователи частоты
  • Системы управления энергоэффективностью
  • Мощные источники питания