RJH60T3DPK-M0#T2

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение вCollector-Emitter (V_CE(sat))
• Максимальный ток Collector (I_C)
• Коэффициент усиления (β)
• Предел частоты (f_T)
• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе в режиме тумблера
• Низкий уровень потерь энергии
• Простота управления
• Высокий коэффициент усиления
• Устойчивость к электрическим ударам
• Минусы:
• Меньшая скорость включения и выключения по сравнению с MOSFET
• Требуется теплоотвод для работы в высокой мощности
• Общее назначение:
• Переключение тока в силовых системах
• Регулирование напряжения и тока в инверторах
• В качестве ключей в системах управления двигателем
• В трансформаторах и преобразователях
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных инверторах питания
• Системах управления промышленными двигателями
• Инверторах для бытовых приборов
• В трансформаторах и преобразователях напряжения
• В системах управления энергосберегающими устройствами