RJK0353DPA-WS#J0

RJK0353DPA-WS#J0 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Он относится к типу N-канального силового MOSFETа.

• Основные параметры:
• V_GS(th) — пороговое напряжение ввода, равное примерно 2 В.
• I_D(on) — ток при открытом канале, до 35 А.
• V_DS(max) — максимальное напряжение между дреном и сифоном, до 65 В.
• R_DS(on) — сопротивление канала в режиме провода, около 1.8 мОм.
• Плюсы:
• Высокая conductance (низкое R_DS(on)) обеспечивает низкие потери энергии.
• Малый размер и легкость производства.
• Высокая надежность и долговечность.
• Простота управления и высокая скорость переключения.
• Минусы:
• Требуется дополнительная защита от перегрева и электрических ударов.
• Недостаточная стабильность при работе с высокими частотами.
• Существует риск повреждения при несоответствии напряжений.
• Общее назначение:
• Используется для управления током в электронных устройствах.
• Обеспечивает регулировку мощности в системах питания.
• Участвует в формировании сигналов и управлении нагрузками в цифровых и аналоговых схемах.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем.
• Инверторы и преобразователи напряжения.
• Регуляторы напряжения.
• Мощные цифровые и аналоговые схемы.
• Системы управления приводами.