RJK0358DSP-WS#J0

RJK0358DSP-WS#J0 Renesas Electronics Corporation N-CHANNEL POWER MOSFET — это полевой транзистор с наносигнальным каналом, предназначенный для работы с высокими напряжениями и токами.

• Основные параметры:
• Vds(max): 600 В — максимальное напряжение между дреном и источником.
• ID(max): 35 А — максимальный ток, проходящий через транзистор.
• RDS(on): 1.2 мОм — прямой проводимый сопротивление при рабочем токе.
• TF(max): 400 В/мс — максимальная скорость перехода напряжения.
• Плюсы:
• Высокая проводимость при рабочем токе.
• Низкое прямое проводимое сопротивление.
• Высокая скорость переключения.
• Устойчивость к перегреву и перенапряжению.
• Минусы:
• Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках.
• Наличие емкости затвора может вызывать динамические эффекты.
• Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями с высокими напряжениями и токами, особенно в системах питания, преобразователях мощности и управления двигателями.
• В каких устройствах применяется:
• Преобразователи напряжения и мощности.
• Драйверы двигателей.
• Системы управления мощностью.
• Электронные блоки питания.